| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.02 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR4170NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 480mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm.
Інші пропозиції NTR4170NT1G за ціною від 3.02 грн до 36.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTR4170NT1G | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 309000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTR4170NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTR4170NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTR4170NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTR4170NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTR4170NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTR4170NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.7A Power dissipation: 0.48W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 55mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1359 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTR4170NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V |
на замовлення 27673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTR4170NT1G | onsemi |
MOSFETs NFET SOT23 30V 4A TR |
на замовлення 214846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
 |
NTR4170NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 480mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm |
на замовлення 17311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
NTR4170NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 480mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm |
на замовлення 17311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTR4170NT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4688+ | 3.02 грн |
| NTR4170NT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.38 грн |
| 6000+ | 7.35 грн |
| 9000+ | 6.98 грн |
| 15000+ | 6.16 грн |
| 21000+ | 5.93 грн |
| NTR4170NT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1235+ | 11.46 грн |
| 6000+ | 10.46 грн |
| 9000+ | 9.93 грн |
| NTR4170NT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 869+ | 16.28 грн |
| 1206+ | 11.73 грн |
| 1217+ | 11.63 грн |
| 1640+ | 8.32 грн |
| 1850+ | 6.83 грн |
| 3000+ | 6.04 грн |
| 6000+ | 5.51 грн |
| NTR4170NT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1558+ | 22.71 грн |
| NTR4170NT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 28.10 грн |
| 41+ | 18.84 грн |
| 47+ | 16.28 грн |
| 100+ | 11.31 грн |
| 250+ | 10.38 грн |
| 500+ | 7.40 грн |
| 1000+ | 6.55 грн |
| 3000+ | 6.04 грн |
| 6000+ | 5.51 грн |
| NTR4170NT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 35.22 грн |
| 16+ | 27.51 грн |
| 18+ | 24.07 грн |
| 50+ | 16.69 грн |
| 100+ | 14.26 грн |
| 500+ | 10.15 грн |
| 1000+ | 9.06 грн |
| NTR4170NT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
на замовлення 27673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 36.84 грн |
| 14+ | 22.12 грн |
| 100+ | 14.11 грн |
| 500+ | 9.97 грн |
| 1000+ | 8.92 грн |
| NTR4170NT1G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SOT23 30V 4A TR
MOSFETs NFET SOT23 30V 4A TR
на замовлення 214846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTR4170NT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 480mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 480mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 17311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTR4170NT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 480mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 480mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 17311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)