Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTR4170NT1G
NTR4170NT1G

NTR4170NT1G ON Semiconductor

ntr4170n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR4170NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTR4170NT1G за ціною від 3.02 грн до 43.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTR4170NT1G NTR4170NT1G ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4688+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 4688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G onsemi ntr4170n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.30 грн
6000+7.28 грн
9000+6.92 грн
15000+6.11 грн
21000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1235+11.48 грн
6000+10.48 грн
9000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 1235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
869+16.32 грн
1206+11.76 грн
1217+11.65 грн
1640+8.34 грн
1850+6.84 грн
3000+6.05 грн
6000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G ONSEMI 2354103.pdf Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.07 грн
500+11.97 грн
1500+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1558+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 1558 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.16 грн
41+18.88 грн
47+16.32 грн
100+11.34 грн
250+10.40 грн
500+7.41 грн
1000+6.57 грн
3000+6.05 грн
6000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G onsemi ntr4170n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
на замовлення 27673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
14+21.91 грн
100+13.98 грн
500+9.88 грн
1000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G onsemi ntr4170n-d.pdf MOSFETs NFET SOT23 30V 4A TR
на замовлення 227044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.83 грн
13+24.93 грн
100+13.81 грн
500+10.42 грн
1000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G ONSEMI 2354103.pdf Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.25 грн
50+26.50 грн
100+17.07 грн
500+11.97 грн
1500+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4688+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 4688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.30 грн
6000+7.28 грн
9000+6.92 грн
15000+6.11 грн
21000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1235+11.48 грн
6000+10.48 грн
9000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 1235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
869+16.32 грн
1206+11.76 грн
1217+11.65 грн
1640+8.34 грн
1850+6.84 грн
3000+6.05 грн
6000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G 2354103.pdf
NTR4170NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+17.07 грн
500+11.97 грн
1500+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1558+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 1558 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+28.16 грн
41+18.88 грн
47+16.32 грн
100+11.34 грн
250+10.40 грн
500+7.41 грн
1000+6.57 грн
3000+6.05 грн
6000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
на замовлення 27673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+36.50 грн
14+21.91 грн
100+13.98 грн
500+9.88 грн
1000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SOT23 30V 4A TR
на замовлення 227044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.83 грн
13+24.93 грн
100+13.81 грн
500+10.42 грн
1000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G 2354103.pdf
NTR4170NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+43.25 грн
50+26.50 грн
100+17.07 грн
500+11.97 грн
1500+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.