NTR4170NT1G

NTR4170NT1G ON Semiconductor


ntr4170n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR4170NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 780mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTR4170NT1G за ціною від 5.21 грн до 40.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ONSEMI ntr4170n-d.pdf Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : onsemi ntr4170n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
на замовлення 89532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.94 грн
6000+7.03 грн
9000+6.71 грн
15000+5.96 грн
21000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+29.00 грн
27+22.37 грн
28+21.76 грн
100+12.86 грн
250+11.20 грн
500+10.64 грн
1000+7.03 грн
3000+6.04 грн
6000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : onsemi ntr4170n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
на замовлення 89532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.04 грн
17+18.67 грн
100+12.61 грн
500+9.19 грн
1000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
390+31.23 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : onsemi ntr4170n-d.pdf MOSFETs NFET SOT23 30V 4A TR
на замовлення 279703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.17 грн
16+21.78 грн
100+10.23 грн
1000+9.36 грн
3000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G Виробник : ONSEMI ntr4170n-d.pdf NTR4170NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.25 грн
101+10.60 грн
276+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.