Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTR4170NT1G
NTR4170NT1G

NTR4170NT1G ON Semiconductor

ntr4170n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR4170NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTR4170NT1G за ціною від 4.89 грн до 34.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.65 грн
9000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.08 грн
9000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0011214882-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : onsemi ntr4170n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
на замовлення 89532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.14 грн
6000+7.21 грн
9000+6.88 грн
15000+6.11 грн
21000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.53 грн
6000+8.40 грн
9000+8.13 грн
12000+7.80 грн
27000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ONSEMI 2354103.pdf Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.27 грн
500+11.08 грн
1500+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
717+17.03 грн
1234+9.89 грн
1246+9.79 грн
1295+9.09 грн
1379+7.90 грн
3000+6.42 грн
6000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 717
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+26.94 грн
38+15.97 грн
39+15.82 грн
100+8.86 грн
250+8.12 грн
500+7.50 грн
1000+7.04 грн
3000+5.96 грн
6000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ONSEMI ntr4170n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+28.38 грн
24+16.59 грн
50+12.48 грн
100+9.07 грн
275+8.53 грн
1000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : onsemi ntr4170n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
на замовлення 89532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.78 грн
17+19.15 грн
100+12.93 грн
500+9.42 грн
1000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : onsemi ntr4170n-d.pdf MOSFETs NFET SOT23 30V 4A TR
на замовлення 279703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.99 грн
16+22.34 грн
100+10.49 грн
1000+9.60 грн
3000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ONSEMI 2354103.pdf Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+33.31 грн
50+19.87 грн
100+12.27 грн
500+11.08 грн
1500+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ONSEMI ntr4170n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.06 грн
15+20.67 грн
50+14.98 грн
100+10.88 грн
275+10.23 грн
1000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.