Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTR4170NT1G
NTR4170NT1G

NTR4170NT1G ON Semiconductor

ntr4170n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3441+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 3441
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR4170NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTR4170NT1G за ціною від 3.72 грн до 35.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.24 грн
6000+4.20 грн
9000+4.16 грн
15000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.11 грн
6000+7.05 грн
9000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0011214882-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.62 грн
6000+7.55 грн
9000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : onsemi ntr4170n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
на замовлення 89532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.36 грн
6000+7.40 грн
9000+7.06 грн
15000+6.27 грн
21000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.32 грн
6000+9.18 грн
9000+8.95 грн
12000+8.42 грн
27000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ONSEMI 2354103.pdf Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.25 грн
500+10.74 грн
1500+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
780+15.88 грн
1220+10.15 грн
1270+9.75 грн
1283+9.31 грн
1395+7.93 грн
3000+4.96 грн
6000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 780
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ONSEMI ntr4170n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.41 грн
21+19.09 грн
25+16.15 грн
50+11.14 грн
100+9.78 грн
101+9.31 грн
277+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4170n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+30.41 грн
42+17.01 грн
100+10.49 грн
250+9.33 грн
500+8.87 грн
1000+8.15 грн
3000+5.31 грн
6000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : onsemi ntr4170n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
на замовлення 89532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.57 грн
17+19.65 грн
100+13.27 грн
500+9.67 грн
1000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : onsemi NTR4170N-D.PDF MOSFETs NFET SOT23 30V 4A TR
на замовлення 264266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.65 грн
21+17.13 грн
100+9.39 грн
500+9.09 грн
1000+8.71 грн
3000+6.03 грн
6000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ONSEMI ntr4170n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.90 грн
13+23.79 грн
15+19.38 грн
50+13.36 грн
100+11.74 грн
101+11.17 грн
277+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G NTR4170NT1G Виробник : ONSEMI 2354103.pdf Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+35.21 грн
50+19.53 грн
100+12.25 грн
500+10.74 грн
1500+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.