Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTR4171PT1G
NTR4171PT1G

NTR4171PT1G ON Semiconductor

ntr4171p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR4171PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTR4171PT1G за ціною від 8.51 грн до 51.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : onsemi ntr4171p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.56 грн
6000+10.02 грн
9000+9.68 грн
15000+8.58 грн
21000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1130+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 1130
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.94 грн
6000+10.14 грн
9000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.68 грн
6000+10.78 грн
9000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2184+14.18 грн
10000+12.63 грн
100000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 2184
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ONSEMI 2354112.pdf Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.82 грн
500+16.86 грн
1500+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A38021576A745&compId=NTR4171P.PDF?ci_sign=9e065e98ff36bdf407baec3146c6e6c7e1152928 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.55 грн
16+26.25 грн
25+22.67 грн
50+20.29 грн
72+13.13 грн
196+12.41 грн
1000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A38021576A745&compId=NTR4171P.PDF?ci_sign=9e065e98ff36bdf407baec3146c6e6c7e1152928 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.26 грн
10+32.71 грн
25+27.21 грн
50+24.34 грн
72+15.75 грн
196+14.89 грн
1000+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : onsemi ntr4171p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 22895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.26 грн
12+27.60 грн
100+19.03 грн
500+13.57 грн
1000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : onsemi 1F6D29CC9CE737E64D1806A4058C3424C7CE1CD8F197798F2A3DA0C570993992.pdf MOSFETs PFET SOT23 30V TR 0.075R
на замовлення 63148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.49 грн
13+29.16 грн
100+18.71 грн
500+14.28 грн
1000+12.83 грн
3000+9.32 грн
6000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+50.40 грн
21+34.13 грн
25+31.50 грн
100+23.79 грн
250+21.47 грн
500+16.07 грн
1000+14.43 грн
3000+12.65 грн
6000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ONSEMI 2354112.pdf Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.06 грн
50+32.30 грн
100+23.82 грн
500+16.86 грн
1500+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.