Продукція > ONSEMI > NTR4171PT1G
NTR4171PT1G

NTR4171PT1G onsemi

ntr4171p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.80 грн
6000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR4171PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.

Інші пропозиції NTR4171PT1G за ціною від 7.49 грн до 62.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 170144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2181+16.33 грн
10000+14.56 грн
100000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 2181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
722+19.72 грн
1000+17.77 грн
3000+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 722 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ONSEMI NTR4171P.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.11 грн
15+27.56 грн
18+24.18 грн
25+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G onsemi ntr4171p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.91 грн
10+30.30 грн
50+22.12 грн
100+18.27 грн
500+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G onsemi ntr4171p-d.pdf MOSFETs PFET SOT23 30V TR 0.075R
на замовлення 24770 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
6+55.03 грн
13+24.56 грн
100+18.80 грн
500+16.16 грн
3000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.18 грн
20+39.39 грн
25+36.60 грн
100+22.90 грн
250+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ONSEMI ntr4171p-d.pdf Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ONSEMI 2354112.pdf Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G ON-Semiconductor ntr4171p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 150mOhm; 2,2A; 480mW; -55°C ~ 150°C; NTR4171PT3G (10000/reel) NTR4171PT1G TRF TNTR4171p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G ntr4171p-d.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 170144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2181+16.33 грн
10000+14.56 грн
100000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 2181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G ntr4171p-d.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
722+19.72 грн
1000+17.77 грн
3000+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 722 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171P.PDF
NTR4171PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.11 грн
15+27.56 грн
18+24.18 грн
25+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G ntr4171p-d.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.91 грн
10+30.30 грн
50+22.12 грн
100+18.27 грн
500+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G ntr4171p-d.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET SOT23 30V TR 0.075R
на замовлення 24770 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.03 грн
13+24.56 грн
100+18.80 грн
500+16.16 грн
3000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G ntr4171p-d.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+62.18 грн
20+39.39 грн
25+36.60 грн
100+22.90 грн
250+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G ntr4171p-d.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G ntr4171p-d.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G 2354112.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G ntr4171p-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 150mOhm; 2,2A; 480mW; -55°C ~ 150°C; NTR4171PT3G (10000/reel) NTR4171PT1G TRF TNTR4171p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.