Технічний опис NTR4171PT1G UMW
Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.
Інші пропозиції NTR4171PT1G за ціною від 8.41 грн до 61.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTR4171PT1G | onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTR4171PT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 170144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTR4171PT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTR4171PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.5A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 182 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTR4171PT1G | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23 |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTR4171PT1G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3 Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount |
на замовлення 7502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTR4171PT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTR4171PT1G | onsemi |
MOSFETs PFET SOT23 30V TR 0.075R |
на замовлення 34069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
NTR4171PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
на замовлення 4981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
NTR4171PT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
NTR4171PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 11927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTR4171PT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.16 грн |
| 6000+ | 9.84 грн |
| NTR4171PT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 170144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2181+ | 16.18 грн |
| 10000+ | 14.43 грн |
| 100000+ | 12.09 грн |
| NTR4171PT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 722+ | 19.55 грн |
| 1000+ | 17.61 грн |
| 3000+ | 16.64 грн |
| NTR4171PT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 31.54 грн |
| 17+ | 25.10 грн |
| 20+ | 21.84 грн |
| 25+ | 17.41 грн |
| 50+ | 14.39 грн |
| 100+ | 12.30 грн |
| NTR4171PT1G |
|
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23
Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40.67 грн |
| 13+ | 24.10 грн |
| 100+ | 15.33 грн |
| NTR4171PT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 7502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 51.62 грн |
| 10+ | 30.73 грн |
| 100+ | 19.70 грн |
| 500+ | 14.05 грн |
| 1000+ | 12.62 грн |
| NTR4171PT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 61.63 грн |
| 20+ | 39.04 грн |
| 25+ | 36.28 грн |
| 100+ | 22.70 грн |
| 250+ | 8.41 грн |
| NTR4171PT1G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET SOT23 30V TR 0.075R
MOSFETs PFET SOT23 30V TR 0.075R
на замовлення 34069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTR4171PT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTR4171PT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTR4171PT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)