Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTR4171PT1G
NTR4171PT1G

NTR4171PT1G ON Semiconductor

ntr4171p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR4171PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTR4171PT1G за ціною від 7.70 грн до 50.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1130+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 1130
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : onsemi ntr4171p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.57 грн
6000+10.19 грн
9000+9.71 грн
15000+8.60 грн
21000+8.30 грн
30000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.03 грн
6000+10.21 грн
9000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.77 грн
6000+10.85 грн
9000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2184+14.28 грн
10000+12.72 грн
100000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 2184
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ONSEMI 2354112.pdf Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.71 грн
500+16.79 грн
1500+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : onsemi 1F6D29CC9CE737E64D1806A4058C3424C7CE1CD8F197798F2A3DA0C570993992.pdf MOSFETs PFET SOT23 30V TR 0.075R
на замовлення 63148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.28 грн
13+29.03 грн
100+18.63 грн
500+14.22 грн
1000+12.77 грн
3000+9.28 грн
6000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : onsemi ntr4171p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 38498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.34 грн
11+29.70 грн
100+19.09 грн
500+13.61 грн
1000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+50.76 грн
21+34.37 грн
25+31.72 грн
100+23.95 грн
250+21.62 грн
500+16.18 грн
1000+14.53 грн
3000+12.74 грн
6000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ONSEMI 2354112.pdf Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.83 грн
50+32.15 грн
100+23.71 грн
500+16.79 грн
1500+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G Виробник : ONSEMI ntr4171p-d.pdf NTR4171PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.67 грн
139+8.08 грн
381+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.