Продукція > ONSEMI > NTR4171PT1G
NTR4171PT1G

NTR4171PT1G onsemi

ntr4171p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.96 грн
6000+9.65 грн
9000+9.20 грн
15000+8.15 грн
21000+7.86 грн
30000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR4171PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTR4171PT1G за ціною від 8.00 грн до 107.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1130+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 1130
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.51 грн
6000+10.62 грн
9000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.28 грн
6000+11.29 грн
9000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2184+14.85 грн
10000+13.23 грн
100000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 2184
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ONSEMI 2354112.pdf Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.45 грн
500+15.90 грн
1500+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : onsemi 1F6D29CC9CE737E64D1806A4058C3424C7CE1CD8F197798F2A3DA0C570993992.pdf MOSFETs PFET SOT23 30V TR 0.075R
на замовлення 63148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.05 грн
13+26.43 грн
100+16.96 грн
500+12.95 грн
1000+11.63 грн
3000+8.45 грн
6000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : onsemi ntr4171p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 38498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.73 грн
11+28.12 грн
100+18.07 грн
500+12.89 грн
1000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ONSEMI 2354112.pdf Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+48.14 грн
50+30.45 грн
100+22.45 грн
500+15.90 грн
1500+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+52.80 грн
21+35.75 грн
25+33.00 грн
100+24.92 грн
250+22.49 грн
500+16.83 грн
1000+15.11 грн
3000+13.25 грн
6000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G Виробник : ONSEMI ntr4171p-d.pdf NTR4171PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.69 грн
140+8.50 грн
384+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.