на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR4171PT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTR4171PT1G за ціною від 5.68 грн до 48.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTR4171PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR4171PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 222000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTR4171PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR4171PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTR4171PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR4171PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR4171PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR4171PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTR4171PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs PFET SOT23 30V TR 0.075R |
на замовлення 108140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR4171PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V |
на замовлення 16689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| NTR4171PT1G | Виробник : ONSEMI |
NTR4171PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 1101 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
NTR4171PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
NTR4171PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |