Продукція > ONSEMI > NTR4171PT1G
NTR4171PT1G

NTR4171PT1G onsemi

ntr4171p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.00 грн
6000+9.69 грн
9000+9.23 грн
15000+8.18 грн
21000+7.89 грн
30000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR4171PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.

Інші пропозиції NTR4171PT1G за ціною від 10.66 грн до 53.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1130+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 1130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.49 грн
6000+11.47 грн
9000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.61 грн
6000+11.56 грн
9000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2184+16.16 грн
10000+14.40 грн
100000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 2184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ONSEMI NTR4171P.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.4nC
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.54 грн
17+25.10 грн
20+21.84 грн
25+17.41 грн
50+14.39 грн
100+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G onsemi ntr4171p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 38498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.92 грн
11+28.24 грн
100+18.15 грн
500+12.94 грн
1000+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ON Semiconductor ntr4171p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.64 грн
21+36.31 грн
25+33.52 грн
100+25.31 грн
250+22.85 грн
500+17.10 грн
1000+15.35 грн
3000+13.46 грн
6000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G onsemi 1F6D29CC9CE737E64D1806A4058C3424C7CE1CD8F197798F2A3DA0C570993992.pdf MOSFETs PFET SOT23 30V TR 0.075R
на замовлення 63148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ONSEMI ntr4171p-d.pdf Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ONSEMI 2354112.pdf Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G ntr4171p-d.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1130+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 1130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G ntr4171p-d.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G ntr4171p-d.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G ntr4171p-d.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.49 грн
6000+11.47 грн
9000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G ntr4171p-d.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.61 грн
6000+11.56 грн
9000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G ntr4171p-d.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2184+16.16 грн
10000+14.40 грн
100000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 2184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G ntr4171p-d.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171P.PDF
NTR4171PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.4nC
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.54 грн
17+25.10 грн
20+21.84 грн
25+17.41 грн
50+14.39 грн
100+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G ntr4171p-d.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 38498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.92 грн
11+28.24 грн
100+18.15 грн
500+12.94 грн
1000+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G ntr4171p-d.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+53.64 грн
21+36.31 грн
25+33.52 грн
100+25.31 грн
250+22.85 грн
500+17.10 грн
1000+15.35 грн
3000+13.46 грн
6000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G 1F6D29CC9CE737E64D1806A4058C3424C7CE1CD8F197798F2A3DA0C570993992.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET SOT23 30V TR 0.075R
на замовлення 63148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G ntr4171p-d.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G 2354112.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.