Продукція > ONSEMI > NTR4171PT1G
NTR4171PT1G

NTR4171PT1G onsemi

ntr4171p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.92 грн
6000+9.63 грн
9000+9.17 грн
15000+8.12 грн
21000+7.84 грн
30000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR4171PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.

Інші пропозиції NTR4171PT1G за ціною від 8.28 грн до 49.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ONSEMI NTR4171P.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Kind of channel: enhancement
Drain current: -1.5A
Gate charge: 7.4nC
On-state resistance: 0.15Ω
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.32 грн
17+24.93 грн
20+21.69 грн
25+17.28 грн
50+14.29 грн
100+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G onsemi 1F6D29CC9CE737E64D1806A4058C3424C7CE1CD8F197798F2A3DA0C570993992.pdf MOSFETs PFET SOT23 30V TR 0.075R
на замовлення 63148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.93 грн
13+26.36 грн
100+16.91 грн
500+12.91 грн
1000+11.60 грн
3000+8.42 грн
6000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G onsemi ntr4171p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 38498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.60 грн
11+28.05 грн
100+18.02 грн
500+12.85 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ONSEMI ntr4171p-d.pdf Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.45 грн
50+30.61 грн
100+19.73 грн
500+13.91 грн
1500+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G NTR4171P.PDF
NTR4171PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Kind of channel: enhancement
Drain current: -1.5A
Gate charge: 7.4nC
On-state resistance: 0.15Ω
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
15+31.32 грн
17+24.93 грн
20+21.69 грн
25+17.28 грн
50+14.29 грн
100+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G 1F6D29CC9CE737E64D1806A4058C3424C7CE1CD8F197798F2A3DA0C570993992.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET SOT23 30V TR 0.075R
на замовлення 63148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.93 грн
13+26.36 грн
100+16.91 грн
500+12.91 грн
1000+11.60 грн
3000+8.42 грн
6000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G ntr4171p-d.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 38498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+46.60 грн
11+28.05 грн
100+18.02 грн
500+12.85 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G ntr4171p-d.pdf
NTR4171PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+49.45 грн
50+30.61 грн
100+19.73 грн
500+13.91 грн
1500+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.