Продукція > ONSEMI > NTR4501NT1G
NTR4501NT1G

NTR4501NT1G onsemi

ntr4501n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR4501NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.

Інші пропозиції NTR4501NT1G за ціною від 4.23 грн до 31.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTR4501NT1G NTR4501NT1G ON Semiconductor ntr4501n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.05 грн
6000+5.33 грн
9000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G NTR4501NT1G ON Semiconductor ntr4501n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G NTR4501NT1G ON Semiconductor ntr4501n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.76 грн
6000+7.52 грн
9000+7.41 грн
12000+6.92 грн
27000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G NTR4501NT1G ON Semiconductor ntr4501n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1316+10.75 грн
1330+10.64 грн
1388+10.19 грн
1586+8.60 грн
3000+7.16 грн
6000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 1316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G NTR4501NT1G ONSEMI NxR4501N.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
Gate charge: 6nC
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 3387 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.48 грн
23+18.79 грн
26+16.44 грн
50+11.66 грн
100+10.11 грн
125+9.67 грн
500+7.01 грн
1500+5.38 грн
3000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G NTR4501NT1G ON Semiconductor ntr4501n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.70 грн
49+15.43 грн
50+15.12 грн
100+10.37 грн
250+9.50 грн
500+8.74 грн
1000+7.65 грн
3000+6.88 грн
6000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G NTR4501NT1G onsemi ntr4501n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 4567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
17+18.79 грн
50+13.57 грн
100+11.14 грн
500+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G NTR4501NT1G onsemi ntr4501n-d.pdf MOSFETs 20V 3.2A N-Channel
на замовлення 149811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G NTR4501NT1G ONSEMI 2255289.pdf Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 58618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G NTR4501NT1G ONSEMI 2255289.pdf Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 71337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G NTR4501NT1G ONSEMI 2255289.pdf Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G ON-Semiconductor ntr4501n-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 105mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NTR4501NT3G (10000/reel) NTR4501NT1G TNTR4501n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G ntr4501n-d.pdf
NTR4501NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.05 грн
6000+5.33 грн
9000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G ntr4501n-d.pdf
NTR4501NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G ntr4501n-d.pdf
NTR4501NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.76 грн
6000+7.52 грн
9000+7.41 грн
12000+6.92 грн
27000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G ntr4501n-d.pdf
NTR4501NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1316+10.75 грн
1330+10.64 грн
1388+10.19 грн
1586+8.60 грн
3000+7.16 грн
6000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 1316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G NxR4501N.PDF
NTR4501NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
Gate charge: 6nC
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 3387 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.48 грн
23+18.79 грн
26+16.44 грн
50+11.66 грн
100+10.11 грн
125+9.67 грн
500+7.01 грн
1500+5.38 грн
3000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G ntr4501n-d.pdf
NTR4501NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+25.70 грн
49+15.43 грн
50+15.12 грн
100+10.37 грн
250+9.50 грн
500+8.74 грн
1000+7.65 грн
3000+6.88 грн
6000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G ntr4501n-d.pdf
NTR4501NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 4567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.35 грн
17+18.79 грн
50+13.57 грн
100+11.14 грн
500+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G ntr4501n-d.pdf
NTR4501NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V 3.2A N-Channel
на замовлення 149811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G 2255289.pdf
NTR4501NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 58618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G 2255289.pdf
NTR4501NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 71337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G 2255289.pdf
NTR4501NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G ntr4501n-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 105mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NTR4501NT3G (10000/reel) NTR4501NT1G TNTR4501n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.