 
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 3.84 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR4501NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції NTR4501NT1G за ціною від 3.72 грн до 24.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | NTR4501NT1G | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V | на замовлення 609000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | NTR4501NT1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | NTR4501NT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | NTR4501NT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | NTR4501NT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 99000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | NTR4501NT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 13808 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | NTR4501NT1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 71337 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | NTR4501NT1G | Виробник : ONSEMI |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.4A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 10A Gate charge: 6nC | на замовлення 9356 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | NTR4501NT1G | Виробник : ONSEMI |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.4A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 10A Gate charge: 6nC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 9356 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | NTR4501NT1G | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V | на замовлення 610850 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | NTR4501NT1G | Виробник : onsemi |  MOSFETs 20V 3.2A N-Channel | на замовлення 188025 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | NTR4501NT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 13808 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | NTR4501NT1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 71337 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
| NTR4501NT1G | Виробник : ON-Semicoductor |  Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 105mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;  NTR4501NT3G (10000/reel) NTR4501NT1G TNTR4501n кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 200 шт:термін постачання 28-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||||||
|   | NTR4501NT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності |