Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTR4501NT1G
NTR4501NT1G

NTR4501NT1G ON Semiconductor

ntr4501n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR4501NT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V.

Інші пропозиції NTR4501NT1G за ціною від 4.19 грн до 32.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTR4501NT1G NTR4501NT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4501n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.56 грн
9000+ 4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTR4501NT1G NTR4501NT1G Виробник : ONSEMI 2255289.pdf Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.89 грн
9000+ 4.92 грн
24000+ 4.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTR4501NT1G NTR4501NT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4501n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.97 грн
9000+ 4.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTR4501NT1G NTR4501NT1G Виробник : ONSEMI 2255289.pdf Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 42704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+9.31 грн
500+ 8.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTR4501NT1G NTR4501NT1G Виробник : ONSEMI NxR4501N.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+10.58 грн
52+ 6.71 грн
100+ 5.54 грн
164+ 4.98 грн
452+ 4.71 грн
Мінімальне замовлення: 36
NTR4501NT1G NTR4501NT1G Виробник : ONSEMI NxR4501N.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+12.7 грн
31+ 8.36 грн
100+ 6.64 грн
164+ 5.98 грн
452+ 5.65 грн
3000+ 5.56 грн
Мінімальне замовлення: 22
NTR4501NT1G NTR4501NT1G Виробник : onsemi ntr4501n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 1324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.3 грн
15+ 18.47 грн
100+ 9.3 грн
500+ 7.74 грн
1000+ 6.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTR4501NT1G NTR4501NT1G Виробник : onsemi NTR4501N_D-2319243.pdf MOSFET 20V 3.2A N-Channel
на замовлення 69967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.83 грн
17+ 18.64 грн
100+ 7.84 грн
1000+ 6.18 грн
3000+ 5.25 грн
9000+ 4.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTR4501NT1G NTR4501NT1G Виробник : ONSEMI 2255289.pdf Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 42704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+32.56 грн
37+ 20.49 грн
100+ 9.31 грн
500+ 8.51 грн
Мінімальне замовлення: 23
NTR4501NT1G Виробник : ON-Semicoductor ntr4501n-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 105mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NTR4501NT3G (10000/reel) NTR4501NT1G TNTR4501n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTR4501NT1G NTR4501NT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4501n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NTR4501NT1G NTR4501NT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4501n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NTR4501NT1G NTR4501NT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4501n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NTR4501NT1G NTR4501NT1G Виробник : onsemi ntr4501n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
товар відсутній