NTR4502PT1G

NTR4502PT1G ON Semiconductor


ntr4502p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR4502PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTR4502PT1G за ціною від 3.23 грн до 26.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTR4502PT1G NTR4502PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4502p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.05 грн
6000+3.69 грн
9000+3.66 грн
24000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G NTR4502PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4502p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4725+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 4725
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G NTR4502PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4502p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4725+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 4725
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G NTR4502PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4502p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.47 грн
6000+3.95 грн
9000+3.92 грн
24000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G NTR4502PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4502p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.88 грн
24000+6.29 грн
36000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G NTR4502PT1G Виробник : onsemi ntr4502p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G NTR4502PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4502p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.33 грн
6000+8.77 грн
9000+8.67 грн
12000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G NTR4502PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4502p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
926+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 926
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G NTR4502PT1G Виробник : ONSEMI 2237058.pdf Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.45 грн
500+10.04 грн
1500+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G NTR4502PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4502p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+19.66 грн
41+14.80 грн
100+9.35 грн
250+8.58 грн
500+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G NTR4502PT1G Виробник : onsemi ntr4502p-d.pdf MOSFETs -30V -1.95A P-Channel
на замовлення 57984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.83 грн
22+15.99 грн
100+9.20 грн
1000+7.95 грн
3000+6.33 грн
9000+5.74 грн
24000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G NTR4502PT1G Виробник : onsemi ntr4502p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.47 грн
18+17.78 грн
100+12.47 грн
500+8.84 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G NTR4502PT1G Виробник : ONSEMI 2237058.pdf Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+26.49 грн
50+19.23 грн
100+13.45 грн
500+10.04 грн
1500+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G NTR4502PT1G Виробник : ON Semiconductor ntr4502p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G NTR4502PT1G Виробник : ONSEMI NTR4502P.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.56A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G NTR4502PT1G Виробник : ONSEMI NTR4502P.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.56A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.