NTR4502PT1G ON Semiconductor
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR4502PT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V, Power Dissipation (Max): 400mW (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NTR4502PT1G за ціною від 4.27 грн до 29.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTR4502PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4502PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
на замовлення 2907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4502PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET -30V -1.95A P-Channel |
на замовлення 24269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
на замовлення 2907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4502PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V |
на замовлення 664000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NTR4502PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.25W Kind of package: reel; tape Gate charge: 6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.56A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.25W Kind of package: reel; tape Gate charge: 6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.56A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |