Технічний опис NTR4502PT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTR4502PT1G за ціною від 5.08 грн до 30.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTR4502PT1G | onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4502PT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4502PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.56A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 6nC |
на замовлення 2668 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V |
на замовлення 4676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4502PT1G | onsemi |
MOSFETs -30V -1.95A P-Channel |
на замовлення 22828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
NTR4502PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 16930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 17666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 110 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTR4502PT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.62 грн |
| NTR4502PT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3958+ | 8.92 грн |
| 10000+ | 7.95 грн |
| NTR4502PT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3958+ | 8.92 грн |
| 10000+ | 7.95 грн |
| NTR4502PT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3958+ | 8.92 грн |
| NTR4502PT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.45 грн |
| 6000+ | 8.47 грн |
| 9000+ | 8.32 грн |
| 12000+ | 7.97 грн |
| NTR4502PT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 19.23 грн |
| 63+ | 11.99 грн |
| 64+ | 11.88 грн |
| 100+ | 9.30 грн |
| 250+ | 7.95 грн |
| 500+ | 5.08 грн |
| NTR4502PT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.56A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6nC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.56A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6nC
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 24.33 грн |
| 27+ | 16.07 грн |
| 32+ | 13.22 грн |
| 50+ | 8.87 грн |
| 100+ | 8.03 грн |
| 250+ | 7.36 грн |
| 500+ | 7.03 грн |
| 1000+ | 6.53 грн |
| NTR4502PT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
на замовлення 4676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.50 грн |
| 17+ | 17.92 грн |
| 100+ | 11.33 грн |
| 500+ | 7.95 грн |
| 1000+ | 7.09 грн |
| NTR4502PT1G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs -30V -1.95A P-Channel
MOSFETs -30V -1.95A P-Channel
на замовлення 22828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTR4502PT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTR4502PT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTR4502PT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)