NTR4502PT1G ON Semiconductor
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2153+ | 6.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR4502PT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTR4502PT1G за ціною від 5.01 грн до 30.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTR4502PT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTR4502PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 17666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTR4502PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23 Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Gate-source voltage: ±20V Drain current: -1.56A Gate charge: 6nC On-state resistance: 0.35Ω Power dissipation: 1.25W |
на замовлення 2854 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 17666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTR4502PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs -30V -1.95A P-Channel |
на замовлення 22828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V |
на замовлення 4676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
NTR4502PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |