Продукція > ONSEMI > NTR4502PT1G
NTR4502PT1G

NTR4502PT1G onsemi

ntr4502p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR4502PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTR4502PT1G за ціною від 5.30 грн до 30.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTR4502PT1G NTR4502PT1G ONSEMI 2237058.pdf Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.68 грн
50+16.15 грн
100+9.72 грн
500+8.28 грн
1500+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G NTR4502PT1G onsemi ntr4502p-d.pdf MOSFETs -30V -1.95A P-Channel
на замовлення 22828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.37 грн
18+17.90 грн
100+10.61 грн
500+7.92 грн
1000+7.03 грн
3000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G NTR4502PT1G onsemi ntr4502p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
на замовлення 4676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.22 грн
17+17.76 грн
100+11.22 грн
500+7.88 грн
1000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G 2237058.pdf
NTR4502PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+26.68 грн
50+16.15 грн
100+9.72 грн
500+8.28 грн
1500+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G ntr4502p-d.pdf
NTR4502PT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs -30V -1.95A P-Channel
на замовлення 22828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+28.37 грн
18+17.90 грн
100+10.61 грн
500+7.92 грн
1000+7.03 грн
3000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G ntr4502p-d.pdf
NTR4502PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
на замовлення 4676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.22 грн
17+17.76 грн
100+11.22 грн
500+7.88 грн
1000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.