| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.86 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR4503NT1G UMW
Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, Verlustleistung: 730mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm.
Інші пропозиції NTR4503NT1G за ціною від 5.03 грн до 44.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTR4503NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTR4503NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTR4503NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTR4503NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.5A Power dissipation: 0.73W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 10A |
на замовлення 5918 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTR4503NT1G | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23 |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTR4503NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V |
на замовлення 2822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTR4503NT1G | onsemi |
MOSFETs 30V 2.5A N-Channel |
на замовлення 2747 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTR4503NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V Verlustleistung: 730mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm |
на замовлення 9092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
NTR4503NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 13065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTR4503NT1G | ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 140mOhm; 2A; 730mW; -55°C ~ 150°C; NTR4503NT3G (10000/reel) NTR4503NT1G TNTR4503nкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| NTR4503NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3013+ | 11.82 грн |
| 10000+ | 10.54 грн |
| NTR4503NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3013+ | 11.82 грн |
| 10000+ | 10.54 грн |
| NTR4503NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.86 грн |
| 6000+ | 11.56 грн |
| 9000+ | 11.31 грн |
| 12000+ | 10.74 грн |
| NTR4503NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.73W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.73W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
на замовлення 5918 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 30.22 грн |
| 29+ | 14.69 грн |
| 31+ | 13.70 грн |
| 50+ | 12.96 грн |
| 100+ | 12.46 грн |
| 178+ | 5.36 грн |
| 487+ | 5.03 грн |
| NTR4503NT1G |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.62 грн |
| 16+ | 18.64 грн |
| 50+ | 13.46 грн |
| 100+ | 11.06 грн |
| 500+ | 8.25 грн |
| NTR4503NT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V
Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40.88 грн |
| 13+ | 23.99 грн |
| 50+ | 17.42 грн |
| 100+ | 14.35 грн |
| 500+ | 10.81 грн |
| NTR4503NT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V 2.5A N-Channel
MOSFETs 30V 2.5A N-Channel
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 44.03 грн |
| 16+ | 19.34 грн |
| 100+ | 14.77 грн |
| 500+ | 11.12 грн |
| 3000+ | 7.61 грн |
| NTR4503NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 9092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTR4503NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTR4503NT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 140mOhm; 2A; 730mW; -55°C ~ 150°C; NTR4503NT3G (10000/reel) NTR4503NT1G TNTR4503n
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 140mOhm; 2A; 730mW; -55°C ~ 150°C; NTR4503NT3G (10000/reel) NTR4503NT1G TNTR4503n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 5.97 грн |








