на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR4503NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTR4503NT1G за ціною від 6.27 грн до 43.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4503NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4503NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V |
на замовлення 23696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4503NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4503NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 30V 2.5A N-Channel |
на замовлення 15534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTR4503NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
NTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NTR4503NT1G | Виробник : ONSEMI |
NTR4503NT1G SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |