Продукція > ONSEMI > NTR4503NT1G
NTR4503NT1G

NTR4503NT1G onsemi

ntr4503n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.15 грн
6000+7.14 грн
9000+6.79 грн
15000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR4503NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTR4503NT1G за ціною від 6.59 грн до 36.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTR4503NT1G NTR4503NT1G ON Semiconductor ntr4503n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3013+11.66 грн
10000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G NTR4503NT1G ON Semiconductor ntr4503n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3013+11.66 грн
10000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G NTR4503NT1G ON Semiconductor ntr4503n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.70 грн
6000+11.41 грн
9000+11.16 грн
12000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G NTR4503NT1G UMW 2ded0628ecded1dc7b1189d2b12bd80f.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.48 грн
18+16.68 грн
100+10.56 грн
500+7.40 грн
1000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G NTR4503NT1G onsemi ntr4503n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V
на замовлення 20900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.18 грн
14+21.50 грн
100+13.71 грн
500+9.69 грн
1000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G NTR4503NT1G onsemi ntr4503n-d.pdf 2ded0628ecded1dc7b1189d2b12bd80f.pdf MOSFETs 30V 2.5A N-Channel
на замовлення 10497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G NTR4503NT1G ONSEMI 2353873.pdf Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G NTR4503NT1G ONSEMI 2353873.pdf Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf
NTR4503NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3013+11.66 грн
10000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf
NTR4503NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3013+11.66 грн
10000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf
NTR4503NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.70 грн
6000+11.41 грн
9000+11.16 грн
12000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G 2ded0628ecded1dc7b1189d2b12bd80f.pdf
NTR4503NT1G
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.48 грн
18+16.68 грн
100+10.56 грн
500+7.40 грн
1000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf
NTR4503NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V
на замовлення 20900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.18 грн
14+21.50 грн
100+13.71 грн
500+9.69 грн
1000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf 2ded0628ecded1dc7b1189d2b12bd80f.pdf
NTR4503NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V 2.5A N-Channel
на замовлення 10497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G 2353873.pdf
NTR4503NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G 2353873.pdf
NTR4503NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.