Продукція > UMW > NTR4503NT1G

NTR4503NT1G UMW


bbc818abbfc37871f1e203e6a33d7762.pdf
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR4503NT1G UMW

Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, Verlustleistung: 730mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm.

Інші пропозиції NTR4503NT1G за ціною від 5.03 грн до 44.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTR4503NT1G NTR4503NT1G ON Semiconductor ntr4503n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3013+11.82 грн
10000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 3013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G NTR4503NT1G ON Semiconductor ntr4503n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3013+11.82 грн
10000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 3013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G NTR4503NT1G ON Semiconductor ntr4503n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.86 грн
6000+11.56 грн
9000+11.31 грн
12000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G NTR4503NT1G ONSEMI ntr4503n-d.pdf bbc818abbfc37871f1e203e6a33d7762.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.73W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
на замовлення 5918 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.22 грн
29+14.69 грн
31+13.70 грн
50+12.96 грн
100+12.46 грн
178+5.36 грн
487+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G NTR4503NT1G UMW bbc818abbfc37871f1e203e6a33d7762.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.62 грн
16+18.64 грн
50+13.46 грн
100+11.06 грн
500+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G NTR4503NT1G onsemi ntr4503n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.88 грн
13+23.99 грн
50+17.42 грн
100+14.35 грн
500+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G NTR4503NT1G onsemi ntr4503n-d.pdf bbc818abbfc37871f1e203e6a33d7762.pdf MOSFETs 30V 2.5A N-Channel
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+44.03 грн
16+19.34 грн
100+14.77 грн
500+11.12 грн
3000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G NTR4503NT1G ONSEMI ntr4503n-d.pdf bbc818abbfc37871f1e203e6a33d7762.pdf Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 9092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G NTR4503NT1G ONSEMI 2353873.pdf Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G ON-Semiconductor ntr4503n-d.pdf bbc818abbfc37871f1e203e6a33d7762.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 140mOhm; 2A; 730mW; -55°C ~ 150°C; NTR4503NT3G (10000/reel) NTR4503NT1G TNTR4503n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3013+11.82 грн
10000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 3013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3013+11.82 грн
10000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 3013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.86 грн
6000+11.56 грн
9000+11.31 грн
12000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf bbc818abbfc37871f1e203e6a33d7762.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.73W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
на замовлення 5918 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+30.22 грн
29+14.69 грн
31+13.70 грн
50+12.96 грн
100+12.46 грн
178+5.36 грн
487+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G bbc818abbfc37871f1e203e6a33d7762.pdf
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.62 грн
16+18.64 грн
50+13.46 грн
100+11.06 грн
500+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.88 грн
13+23.99 грн
50+17.42 грн
100+14.35 грн
500+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf bbc818abbfc37871f1e203e6a33d7762.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V 2.5A N-Channel
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+44.03 грн
16+19.34 грн
100+14.77 грн
500+11.12 грн
3000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf bbc818abbfc37871f1e203e6a33d7762.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 9092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G 2353873.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf bbc818abbfc37871f1e203e6a33d7762.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 140mOhm; 2A; 730mW; -55°C ~ 150°C; NTR4503NT3G (10000/reel) NTR4503NT1G TNTR4503n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.