на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR4503NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTR4503NT1G за ціною від 6.18 грн до 44.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTR4503NT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4503NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23 Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Gate-source voltage: ±20V Drain current: 2.5A Gate charge: 3.6nC On-state resistance: 0.11Ω Power dissipation: 0.73W Pulsed drain current: 10A |
на замовлення 2805 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4503NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23 Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Gate-source voltage: ±20V Drain current: 2.5A Gate charge: 3.6nC On-state resistance: 0.11Ω Power dissipation: 0.73W Pulsed drain current: 10A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2805 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4503NT1G | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4503NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 10496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4503NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V |
на замовлення 20900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4503NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 30V 2.5A N-Channel |
на замовлення 10497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTR4503NT1G | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |