
NTR5103NT1G ON Semiconductor
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR5103NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR5103NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTR5103NT1G за ціною від 1.34 грн до 24.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTR5103NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTR5103NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTR5103NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTR5103NT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTR5103NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 210060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTR5103NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTR5103NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTR5103NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 29422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTR5103NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 29422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTR5103NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.42W; SOT23 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A On-state resistance: 3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.81nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Case: SOT23 |
на замовлення 2882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTR5103NT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V |
на замовлення 50099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTR5103NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.42W; SOT23 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A On-state resistance: 3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.81nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2882 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTR5103NT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 108321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NTR5103NT1G | Виробник : ONS |
![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
NTR5103NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |