Продукція > ONSEMI > NTR5103NT1G
NTR5103NT1G

NTR5103NT1G onsemi

ntr5103n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.02 грн
6000+1.84 грн
9000+1.73 грн
15000+1.57 грн
21000+1.52 грн
30000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR5103NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTR5103NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTR5103NT1G за ціною від 1.66 грн до 12.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTR5103NT1G NTR5103NT1G ON Semiconductor ntr5103n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.24 грн
24000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5103NT1G NTR5103NT1G ON Semiconductor ntr5103n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6277+2.24 грн
24000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 6277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5103NT1G NTR5103NT1G ON Semiconductor ntr5103n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.31 грн
24000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5103NT1G NTR5103NT1G ON Semiconductor ntr5103n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 210060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14085+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 14085 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5103NT1G NTR5103NT1G ON Semiconductor ntr5103n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4505+3.12 грн
9000+2.99 грн
27000+2.95 грн
51000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 4505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5103NT1G NTR5103NT1G ON Semiconductor ntr5103n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4214+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 4214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5103NT1G NTR5103NT1G onsemi ntr5103n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 50099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.32 грн
39+7.71 грн
100+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5103NT1G NTR5103NT1G onsemi ntr5103n-d.pdf MOSFETs NFET SOT23 60V 310MA 2.5
на замовлення 108321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5103NT1G NTR5103NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTR5103NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5103NT1G NTR5103NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTR5103NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5103NT1G ntr5103n-d.pdf
NTR5103NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.24 грн
24000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5103NT1G ntr5103n-d.pdf
NTR5103NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6277+2.24 грн
24000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 6277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5103NT1G ntr5103n-d.pdf
NTR5103NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.31 грн
24000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5103NT1G ntr5103n-d.pdf
NTR5103NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 210060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14085+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 14085 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5103NT1G ntr5103n-d.pdf
NTR5103NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4505+3.12 грн
9000+2.99 грн
27000+2.95 грн
51000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 4505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5103NT1G ntr5103n-d.pdf
NTR5103NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4214+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 4214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5103NT1G ntr5103n-d.pdf
NTR5103NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 50099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.32 грн
39+7.71 грн
100+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5103NT1G ntr5103n-d.pdf
NTR5103NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SOT23 60V 310MA 2.5
на замовлення 108321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5103NT1G ONSM-S-A0013300264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTR5103NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR5103NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5103NT1G ONSM-S-A0013300264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTR5103NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR5103NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.