NTR5103NT1G ON Semiconductor
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR5103NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR5103NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTR5103NT1G за ціною від 1.50 грн до 16.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTR5103NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR5103NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR5103NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR5103NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR5103NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 210060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR5103NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR5103NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR5103NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR5103NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 29422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR5103NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR5103NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 29422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR5103NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V |
на замовлення 50099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR5103NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs NFET SOT23 60V 310MA 2.5 |
на замовлення 108321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTR5103NT1G | Виробник : ONSEMI |
NTR5103NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1268 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
NTR5103NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |