Продукція > ONSEMI > NTR5105PT1G
NTR5105PT1G

NTR5105PT1G onsemi

ntr5105p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 347mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.32 грн
6000+2.86 грн
9000+2.69 грн
15000+2.35 грн
21000+2.24 грн
30000+2.14 грн
75000+1.88 грн
150000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR5105PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 196mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 347mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTR5105PT1G за ціною від 2.67 грн до 19.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTR5105PT1G NTR5105PT1G ONSEMI ntr5105p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.67 грн
46+9.31 грн
66+6.45 грн
100+5.50 грн
500+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G NTR5105PT1G onsemi NTR5105P-D.PDF MOSFETs PFET SOT23 60V 211MA 5OHM
на замовлення 243780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+14.11 грн
44+7.36 грн
100+4.08 грн
500+3.59 грн
1000+3.23 грн
3000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G NTR5105PT1G onsemi ntr5105p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 347mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 182913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.61 грн
32+9.60 грн
100+5.97 грн
500+4.10 грн
1000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G NTR5105PT1G ONSEMI 2578365.pdf Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.20 грн
71+11.65 грн
113+7.26 грн
500+4.97 грн
1500+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G ntr5105p-d.pdf
NTR5105PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
34+13.67 грн
46+9.31 грн
66+6.45 грн
100+5.50 грн
500+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G NTR5105P-D.PDF
NTR5105PT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET SOT23 60V 211MA 5OHM
на замовлення 243780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
24+14.11 грн
44+7.36 грн
100+4.08 грн
500+3.59 грн
1000+3.23 грн
3000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G ntr5105p-d.pdf
NTR5105PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 347mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 182913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.61 грн
32+9.60 грн
100+5.97 грн
500+4.10 грн
1000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G 2578365.pdf
NTR5105PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
43+19.20 грн
71+11.65 грн
113+7.26 грн
500+4.97 грн
1500+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.