NTR5105PT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 347mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.28 грн |
| 6000+ | 2.83 грн |
| 9000+ | 2.66 грн |
| 15000+ | 2.32 грн |
| 21000+ | 2.22 грн |
| 30000+ | 2.11 грн |
| 75000+ | 1.86 грн |
| 150000+ | 1.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR5105PT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 196mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 347mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTR5105PT1G за ціною від 2.64 грн до 20.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTR5105PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR5105PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTR5105PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 196mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 347mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 19863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTR5105PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.141A Power dissipation: 0.347W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1044 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTR5105PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs PFET SOT23 60V 211MA 5OHM |
на замовлення 243780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR5105PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 347mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V |
на замовлення 182913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR5105PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 196mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 347mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR5105PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| NTR5105PT1G | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| NTR5105PT1G | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| NTR5105PT1G | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| NTR5105PT1G | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|