Продукція > ONSEMI > NTR5105PT1G
NTR5105PT1G

NTR5105PT1G onsemi

ntr5105p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 347mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.55 грн
6000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR5105PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 196mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 347mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.

Інші пропозиції NTR5105PT1G за ціною від 3.71 грн до 20.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTR5105PT1G NTR5105PT1G ON Semiconductor ntr5105p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.53 грн
9000+3.81 грн
24000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G NTR5105PT1G ON Semiconductor ntr5105p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.01 грн
9000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G NTR5105PT1G onsemi ntr5105p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 347mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V
на замовлення 33820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.89 грн
29+10.28 грн
50+7.32 грн
100+5.97 грн
500+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G NTR5105PT1G ON Semiconductor ntr5105p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.61 грн
55+13.78 грн
56+13.65 грн
106+6.91 грн
250+6.33 грн
500+6.01 грн
1000+5.69 грн
3000+5.24 грн
6000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G NTR5105PT1G onsemi NTR5105P-D.PDF MOSFETs PFET SOT23 60V 211MA 5OHM
на замовлення 243780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G NTR5105PT1G ONSEMI 2578365.pdf Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 347mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 193093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G NTR5105PT1G ONSEMI 2578365.pdf Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 19863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G Aptina Imaging ntr5105p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3074+4.61 грн
9000+3.88 грн
24000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 3074 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G Aptina Imaging ntr5105p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.01 грн
9000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G Aptina Imaging ntr5105p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.45 грн
6000+5.29 грн
12000+5.13 грн
27000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G Aptina Imaging ntr5105p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1979+7.16 грн
2000+7.09 грн
2022+7.01 грн
2134+6.41 грн
3000+5.46 грн
6000+4.79 грн
15000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 1979 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G ntr5105p-d.pdf
NTR5105PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.53 грн
9000+3.81 грн
24000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G ntr5105p-d.pdf
NTR5105PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.01 грн
9000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G ntr5105p-d.pdf
NTR5105PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 347mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V
на замовлення 33820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+16.89 грн
29+10.28 грн
50+7.32 грн
100+5.97 грн
500+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G ntr5105p-d.pdf
NTR5105PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+20.61 грн
55+13.78 грн
56+13.65 грн
106+6.91 грн
250+6.33 грн
500+6.01 грн
1000+5.69 грн
3000+5.24 грн
6000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G NTR5105P-D.PDF
NTR5105PT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET SOT23 60V 211MA 5OHM
на замовлення 243780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G 2578365.pdf
NTR5105PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 347mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 193093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G 2578365.pdf
NTR5105PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 19863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G ntr5105p-d.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3074+4.61 грн
9000+3.88 грн
24000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 3074 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G ntr5105p-d.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.01 грн
9000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G ntr5105p-d.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.45 грн
6000+5.29 грн
12000+5.13 грн
27000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5105PT1G ntr5105p-d.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1979+7.16 грн
2000+7.09 грн
2022+7.01 грн
2134+6.41 грн
3000+5.46 грн
6000+4.79 грн
15000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 1979 шт
В кошику  од. на суму  грн.