NTR5105PT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 347mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.25 грн |
| 6000+ | 2.80 грн |
| 9000+ | 2.64 грн |
| 15000+ | 2.30 грн |
| 21000+ | 2.19 грн |
| 30000+ | 2.09 грн |
| 75000+ | 1.84 грн |
| 150000+ | 1.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR5105PT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 196mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 347mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.
Інші пропозиції NTR5105PT1G за ціною від 3.54 грн до 20.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTR5105PT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTR5105PT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTR5105PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.141A Power dissipation: 0.347W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 544 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTR5105PT1G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 347mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 182913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTR5105PT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTR5105PT1G | onsemi |
MOSFETs PFET SOT23 60V 211MA 5OHM |
на замовлення 243780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
NTR5105PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 196mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 347mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
на замовлення 194708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
NTR5105PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 1.6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 196mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 347mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 19863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR5105PT1G | Aptina Imaging |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| NTR5105PT1G | Aptina Imaging |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| NTR5105PT1G | Aptina Imaging |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| NTR5105PT1G | Aptina Imaging |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| NTR5105PT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.52 грн |
| 9000+ | 3.80 грн |
| 24000+ | 3.71 грн |
| NTR5105PT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.00 грн |
| 9000+ | 4.05 грн |
| NTR5105PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 544 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 16.07 грн |
| 36+ | 11.77 грн |
| 41+ | 10.20 грн |
| 59+ | 7.03 грн |
| 100+ | 5.99 грн |
| 500+ | 4.25 грн |
| NTR5105PT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 347mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 347mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 182913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 16.27 грн |
| 32+ | 9.40 грн |
| 100+ | 5.84 грн |
| 500+ | 4.02 грн |
| 1000+ | 3.54 грн |
| NTR5105PT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 20.56 грн |
| 55+ | 13.75 грн |
| 56+ | 13.62 грн |
| 106+ | 6.89 грн |
| 250+ | 6.31 грн |
| 500+ | 6.00 грн |
| 1000+ | 5.68 грн |
| 3000+ | 5.23 грн |
| 6000+ | 4.78 грн |
| NTR5105PT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET SOT23 60V 211MA 5OHM
MOSFETs PFET SOT23 60V 211MA 5OHM
на замовлення 243780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTR5105PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 347mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 347mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 194708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTR5105PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 19863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTR5105PT1G |
![]() |
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3074+ | 4.60 грн |
| 9000+ | 3.88 грн |
| 24000+ | 3.78 грн |
| NTR5105PT1G |
![]() |
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.00 грн |
| 9000+ | 4.05 грн |
| NTR5105PT1G |
![]() |
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.44 грн |
| 6000+ | 5.28 грн |
| 12000+ | 5.12 грн |
| 27000+ | 4.85 грн |
| NTR5105PT1G |
![]() |
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1979+ | 7.15 грн |
| 2000+ | 7.07 грн |
| 2022+ | 7.00 грн |
| 2134+ | 6.39 грн |
| 3000+ | 5.45 грн |
| 6000+ | 4.78 грн |
| 15000+ | 4.32 грн |






