Продукція > ONSEMI > NTR5198NLT1G
NTR5198NLT1G

NTR5198NLT1G onsemi

ntr5198nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.15 грн
6000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR5198NLT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTR5198NLT1G за ціною від 5.27 грн до 30.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G ON Semiconductor ntr5198nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.71 грн
6000+7.37 грн
9000+7.17 грн
12000+6.78 грн
27000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G ON Semiconductor ntr5198nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4465+7.87 грн
10000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 4465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G ONSEMI ntr5198nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 155mΩ
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
на замовлення 7375 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.38 грн
24+17.38 грн
30+14.17 грн
50+12.11 грн
100+10.38 грн
250+8.48 грн
500+7.41 грн
1000+6.42 грн
3000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G onsemi ntr5198nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 25 V
на замовлення 35466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.02 грн
17+17.94 грн
100+11.33 грн
500+7.93 грн
1000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G ON Semiconductor ntr5198nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G onsemi ntr5198nl-d.pdf MOSFETs Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH
на замовлення 30191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5198NLT1G ONSEMI ONSM-S-A0018209623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTR5198NLT1G - NFET SOT23 60V 2.2A 205M 08AK6614
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5198NLT1G ntr5198nl-d.pdf
NTR5198NLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.71 грн
6000+7.37 грн
9000+7.17 грн
12000+6.78 грн
27000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5198NLT1G ntr5198nl-d.pdf
NTR5198NLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4465+7.87 грн
10000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 4465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5198NLT1G ntr5198nl-d.pdf
NTR5198NLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 155mΩ
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
на замовлення 7375 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+28.38 грн
24+17.38 грн
30+14.17 грн
50+12.11 грн
100+10.38 грн
250+8.48 грн
500+7.41 грн
1000+6.42 грн
3000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5198NLT1G ntr5198nl-d.pdf
NTR5198NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 25 V
на замовлення 35466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.02 грн
17+17.94 грн
100+11.33 грн
500+7.93 грн
1000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5198NLT1G ntr5198nl-d.pdf
NTR5198NLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5198NLT1G ntr5198nl-d.pdf
NTR5198NLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH
на замовлення 30191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR5198NLT1G ONSM-S-A0018209623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR5198NLT1G - NFET SOT23 60V 2.2A 205M 08AK6614
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.