NTR5198NLT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 25 V
на замовлення 74986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.61 грн |
| 6000+ | 5.76 грн |
| 9000+ | 5.46 грн |
| 15000+ | 4.80 грн |
| 21000+ | 4.61 грн |
| 30000+ | 4.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR5198NLT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTR5198NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTR5198NLT1G за ціною від 4.25 грн до 32.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTR5198NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR5198NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR5198NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR5198NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTR5198NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT23 On-state resistance: 155mΩ Power dissipation: 0.6W Drain current: 1.6A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar |
на замовлення 2809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR5198NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT23 On-state resistance: 155mΩ Power dissipation: 0.6W Drain current: 1.6A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2809 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTR5198NLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH |
на замовлення 14016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTR5198NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 25 V |
на замовлення 74986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTR5198NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR5198NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 103949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTR5198NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
NTR5198NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |