
NTR5198NLT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 25 V
на замовлення 39185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 5.00 грн |
6000+ | 4.67 грн |
9000+ | 4.33 грн |
15000+ | 4.04 грн |
21000+ | 4.03 грн |
30000+ | 3.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR5198NLT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTR5198NLT1G за ціною від 4.05 грн до 34.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTR5198NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTR5198NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 11650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTR5198NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 11650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTR5198NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 39765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTR5198NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.6A On-state resistance: 155mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23 |
на замовлення 3174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTR5198NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 25 V |
на замовлення 39185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTR5198NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.6A On-state resistance: 155mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3174 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTR5198NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 111579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTR5198NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
NTR5198NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |