Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTRV4101PT1G
NTRV4101PT1G

NTRV4101PT1G ON Semiconductor

ntr4101p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTRV4101PT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V.

Інші пропозиції NTRV4101PT1G за ціною від 14.24 грн до 49.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTRV4101PT1G NTRV4101PT1G Виробник : onsemi ntr4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.11 грн
6000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTRV4101PT1G NTRV4101PT1G Виробник : onsemi NTR4101P_D-1814409.pdf MOSFETs PFET 20V 3.2A 85MO
на замовлення 153074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.41 грн
11+32.16 грн
100+20.40 грн
500+17.47 грн
1000+16.15 грн
3000+14.68 грн
6000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTRV4101PT1G NTRV4101PT1G Виробник : onsemi ntr4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V
на замовлення 6843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.22 грн
10+41.89 грн
100+32.11 грн
500+23.82 грн
1000+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTRV4101PT1G Виробник : ONSEMI ntr4101p-d.pdf NTRV4101PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.