Продукція > ONSEMI > NTRV4101PT1G
NTRV4101PT1G

NTRV4101PT1G onsemi

ntr4101p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.38 грн
6000+ 15.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTRV4101PT1G onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V.

Інші пропозиції NTRV4101PT1G за ціною від 12.68 грн до 44.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTRV4101PT1G NTRV4101PT1G Виробник : onsemi NTR4101P_D-2319187.pdf MOSFET PFET 20V 3.2A 85MO
на замовлення 167229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.97 грн
13+ 25.49 грн
100+ 16.89 грн
500+ 14.75 грн
1000+ 12.95 грн
3000+ 12.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTRV4101PT1G NTRV4101PT1G Виробник : onsemi ntr4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V
на замовлення 6843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.78 грн
10+ 38.11 грн
100+ 29.21 грн
500+ 21.67 грн
1000+ 17.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTRV4101PT1G Виробник : ONSEMI ntr4101p-d.pdf NTRV4101PT1G SMD P channel transistors
товар відсутній