Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTS2101PT1G
NTS2101PT1G

NTS2101PT1G ON Semiconductor

nts2101p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTS2101PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTS2101PT1G за ціною від 6.05 грн до 40.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3746+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 3746
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3746+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 3746
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : onsemi nts2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.89 грн
6000+7.80 грн
9000+7.40 грн
15000+6.53 грн
21000+6.29 грн
30000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.26 грн
6000+9.13 грн
9000+8.87 грн
12000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ONSEMI nts2101p-d.pdf Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.07 грн
500+11.73 грн
1500+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ONSEMI nts2101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.20 грн
26+16.24 грн
28+14.68 грн
50+13.37 грн
100+12.05 грн
500+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : onsemi 33508F19C2999AE36FEF07136F13C3A218B5C592A21B3F8BEA3973FD7A93760E.pdf MOSFETs -8V -1.4A P-Channel
на замовлення 12404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+22.14 грн
23+15.93 грн
100+13.23 грн
500+10.71 грн
1000+9.68 грн
3000+7.48 грн
6000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
566+22.58 грн
917+13.92 грн
927+13.77 грн
1073+11.48 грн
1326+8.60 грн
3000+7.10 грн
6000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 566
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ONSEMI nts2101p-d.pdf Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+26.76 грн
50+21.46 грн
100+16.07 грн
500+11.73 грн
1500+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+31.53 грн
30+24.33 грн
31+24.19 грн
100+14.38 грн
250+13.17 грн
500+10.93 грн
1000+8.84 грн
3000+7.61 грн
6000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : onsemi nts2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V
на замовлення 40154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.03 грн
14+23.62 грн
100+15.01 грн
500+10.60 грн
1000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.