Продукція > ONSEMI > NTS2101PT1G
NTS2101PT1G

NTS2101PT1G onsemi

nts2101p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.98 грн
6000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTS2101PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTS2101PT1G за ціною від 8.05 грн до 40.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTS2101PT1G NTS2101PT1G ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.33 грн
6000+10.17 грн
9000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.40 грн
6000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.48 грн
6000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3139+11.29 грн
10000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 3139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3139+11.29 грн
10000+10.06 грн
100000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 3139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013775450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.46 грн
500+11.29 грн
1500+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013775450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.31 грн
50+16.27 грн
100+15.46 грн
500+11.29 грн
1500+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G ONSEMI nts2101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.74 грн
24+18.03 грн
28+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G onsemi nts2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V
на замовлення 45895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
14+22.66 грн
100+14.41 грн
500+10.17 грн
1000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G onsemi nts2101p-d.pdf MOSFETs -8V -1.4A P-Channel
на замовлення 11470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.19 грн
14+24.29 грн
100+13.46 грн
500+10.15 грн
1000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G nts2101p-d.pdf
NTS2101PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.33 грн
6000+10.17 грн
9000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G nts2101p-d.pdf
NTS2101PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.40 грн
6000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G nts2101p-d.pdf
NTS2101PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.48 грн
6000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G nts2101p-d.pdf
NTS2101PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3139+11.29 грн
10000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 3139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G nts2101p-d.pdf
NTS2101PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3139+11.29 грн
10000+10.06 грн
100000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 3139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G ONSM-S-A0013775450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTS2101PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+15.46 грн
500+11.29 грн
1500+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G ONSM-S-A0013775450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTS2101PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
37+22.31 грн
50+16.27 грн
100+15.46 грн
500+11.29 грн
1500+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G nts2101p-d.pdf
NTS2101PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
17+27.74 грн
24+18.03 грн
28+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G nts2101p-d.pdf
NTS2101PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V
на замовлення 45895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+38.06 грн
14+22.66 грн
100+14.41 грн
500+10.17 грн
1000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G nts2101p-d.pdf
NTS2101PT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs -8V -1.4A P-Channel
на замовлення 11470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+40.19 грн
14+24.29 грн
100+13.46 грн
500+10.15 грн
1000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.