на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTS2101PT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTS2101PT1G за ціною від 5.38 грн до 34.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTS2101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTS2101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTS2101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTS2101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTS2101PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 22987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTS2101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 8821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTS2101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 8821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTS2101PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 22987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTS2101PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs -8V -1.4A P-Channel |
на замовлення 43251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTS2101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
NTS2101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
NTS2101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| NTS2101PT1G | Виробник : ONSEMI |
NTS2101PT1G SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
 |
NTS2101PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
NTS2101PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V |
товару немає в наявності |