Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTS2101PT1G
NTS2101PT1G

NTS2101PT1G ON Semiconductor

nts2101p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTS2101PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTS2101PT1G за ціною від 6.02 грн до 40.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : onsemi nts2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.02 грн
6000+7.91 грн
9000+7.51 грн
15000+6.63 грн
21000+6.38 грн
30000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.21 грн
6000+9.07 грн
9000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.27 грн
6000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.01 грн
6000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3139+10.07 грн
10000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 3139
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3139+10.07 грн
10000+8.98 грн
100000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3139
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013775450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.20 грн
500+12.56 грн
1500+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ONSEMI nts2101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.50 грн
26+16.47 грн
28+14.89 грн
50+13.56 грн
100+12.23 грн
500+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
566+22.37 грн
917+13.79 грн
927+13.64 грн
1073+11.37 грн
1326+8.52 грн
3000+7.04 грн
6000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 566
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013775450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+24.81 грн
50+18.10 грн
100+17.20 грн
500+12.56 грн
1500+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ONSEMI nts2101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 895 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.80 грн
16+20.52 грн
25+17.87 грн
50+16.27 грн
100+14.67 грн
500+10.98 грн
1000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : onsemi 33508F19C2999AE36FEF07136F13C3A218B5C592A21B3F8BEA3973FD7A93760E.pdf MOSFETs -8V -1.4A P-Channel
на замовлення 29677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+27.20 грн
20+19.29 грн
100+14.13 грн
500+10.86 грн
1000+9.82 грн
3000+7.59 грн
6000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+31.23 грн
30+24.11 грн
31+23.97 грн
100+14.25 грн
250+13.05 грн
500+10.83 грн
1000+8.76 грн
3000+7.54 грн
6000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : onsemi nts2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V
на замовлення 40154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.60 грн
14+23.96 грн
100+15.22 грн
500+10.75 грн
1000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.