Продукція > ONSEMI > NTS2101PT1G
NTS2101PT1G

NTS2101PT1G onsemi


nts2101p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V
на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.02 грн
6000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTS2101PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTS2101PT1G за ціною від 6.63 грн до 40.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.15 грн
6000+9.99 грн
9000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.21 грн
6000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.29 грн
6000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3139+11.09 грн
10000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 3139
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3139+11.09 грн
10000+9.89 грн
100000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 3139
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013775450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.54 грн
500+11.35 грн
1500+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013775450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+22.42 грн
50+16.35 грн
100+15.54 грн
500+11.35 грн
1500+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ONSEMI nts2101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.49 грн
27+15.62 грн
31+13.61 грн
50+12.19 грн
100+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
566+24.63 грн
917+15.19 грн
927+15.03 грн
1073+12.52 грн
1326+9.38 грн
3000+7.75 грн
6000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 566
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+32.11 грн
30+24.78 грн
31+24.63 грн
100+14.64 грн
250+13.42 грн
500+11.13 грн
1000+9.01 грн
3000+7.75 грн
6000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : onsemi nts2101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 8 V
на замовлення 45895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.25 грн
14+22.78 грн
100+14.48 грн
500+10.23 грн
1000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : onsemi nts2101p-d.pdf MOSFETs -8V -1.4A P-Channel
на замовлення 11470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.39 грн
14+24.42 грн
100+13.53 грн
500+10.20 грн
1000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G Виробник : On Semiconductor nts2101p-d.pdf MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTS2101PT1G NTS2101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts2101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.