| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.31 грн |
| 6000+ | 5.18 грн |
| 9000+ | 5.17 грн |
| 12000+ | 4.85 грн |
| 27000+ | 4.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTS4001NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTS4001NT1G за ціною від 3.84 грн до 30.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTS4001NT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 5 V |
на замовлення 74000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTS4001NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.33W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 641 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTS4001NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTS4001NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.27A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 3181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTS4001NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 5 V |
на замовлення 74944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTS4001NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 30V 270mA N-Channel |
на замовлення 56384 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTS4001NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NTS4001NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 270 мА, Ptot, Вт = 0,33, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 33 @ 5, Qg, нКл = 1,3 @ 5 В, Rds = 1,5 Ом @ 10 мA, 4 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 100 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-323 Од. ви кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| NTS4001NT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
N-MOSFET 30V 0.27A NTS4001NT1G TNTS4001n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
NTS4001NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.27A 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NTS4001NT1G | Виробник : On Semiconductor |
N-кан. MOSFET 30V, SOT-323-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |