Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTS4001NT1G
NTS4001NT1G

NTS4001NT1G ON Semiconductor

nts4001n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.27A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.85 грн
6000+5.70 грн
9000+5.69 грн
12000+5.34 грн
27000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTS4001NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 330mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm.

Інші пропозиції NTS4001NT1G за ціною від 4.04 грн до 30.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTS4001NT1G NTS4001NT1G ONSEMI nts4001n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.33 грн
48+8.75 грн
64+6.47 грн
100+5.74 грн
500+4.51 грн
1000+4.21 грн
1500+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4001NT1G NTS4001NT1G ON Semiconductor nts4001n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.27A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
653+21.81 грн
1020+13.96 грн
1413+10.08 грн
1552+8.85 грн
3000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 653 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4001NT1G NTS4001NT1G onsemi nts4001n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4001NT1G NTS4001NT1G onsemi nts4001n-d.pdf MOSFETs 30V 270mA N-Channel
на замовлення 62873 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
10+30.80 грн
17+18.59 грн
100+10.17 грн
500+7.61 грн
1000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4001NT1G NTS4001NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013296019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4001NT1G NTS4001NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013296019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 34464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4001NT1G ON Semiconductor NTS4001N-D.PDF N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 270 мА, Ptot, Вт = 0,33, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 33 @ 5, Qg, нКл = 1,3 @ 5 В, Rds = 1,5 Ом @ 10 мA, 4 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 100 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4001NT1G ON-Semiconductor nts4001n-d.pdf N-MOSFET 30V 0.27A NTS4001NT1G TNTS4001n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4001NT1G nts4001n-d.pdf
NTS4001NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+13.33 грн
48+8.75 грн
64+6.47 грн
100+5.74 грн
500+4.51 грн
1000+4.21 грн
1500+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4001NT1G nts4001n-d.pdf
NTS4001NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.27A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
653+21.81 грн
1020+13.96 грн
1413+10.08 грн
1552+8.85 грн
3000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 653 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4001NT1G nts4001n-d.pdf
NTS4001NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4001NT1G nts4001n-d.pdf
NTS4001NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V 270mA N-Channel
на замовлення 62873 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+30.80 грн
17+18.59 грн
100+10.17 грн
500+7.61 грн
1000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4001NT1G ONSM-S-A0013296019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTS4001NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4001NT1G ONSM-S-A0013296019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTS4001NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 34464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4001NT1G NTS4001N-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 270 мА, Ptot, Вт = 0,33, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 33 @ 5, Qg, нКл = 1,3 @ 5 В, Rds = 1,5 Ом @ 10 мA, 4 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 100 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4001NT1G nts4001n-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 30V 0.27A NTS4001NT1G TNTS4001n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.