| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.82 грн |
| 6000+ | 5.68 грн |
| 9000+ | 5.66 грн |
| 12000+ | 5.31 грн |
| 27000+ | 4.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTS4001NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTS4001NT1G за ціною від 3.81 грн до 30.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTS4001NT1G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTS4001NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.33W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3051 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTS4001NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.27A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 3181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTS4001NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 5 V |
на замовлення 1796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTS4001NT1G | onsemi |
MOSFETs 30V 270mA N-Channel |
на замовлення 62873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTS4001NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTS4001NT1G | ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 270 мА, Ptot, Вт = 0,33, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 33 @ 5, Qg, нКл = 1,3 @ 5 В, Rds = 1,5 Ом @ 10 мA, 4 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 100 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NTS4001NT1G | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 30V 0.27A NTS4001NT1G TNTS4001n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| NTS4001NT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.92 грн |
| 500+ | 8.23 грн |
| 1500+ | 6.73 грн |
| NTS4001NT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3051 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 13.42 грн |
| 48+ | 8.81 грн |
| 64+ | 6.51 грн |
| 100+ | 5.78 грн |
| 500+ | 4.54 грн |
| 1000+ | 4.24 грн |
| 1500+ | 4.06 грн |
| 3000+ | 3.81 грн |
| NTS4001NT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.27A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.27A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 653+ | 21.72 грн |
| 1020+ | 13.90 грн |
| 1413+ | 10.04 грн |
| 1552+ | 8.81 грн |
| 3000+ | 6.52 грн |
| NTS4001NT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 5 V
Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 5 V
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.96 грн |
| 19+ | 16.45 грн |
| 100+ | 10.36 грн |
| 500+ | 7.23 грн |
| 1000+ | 6.43 грн |
| NTS4001NT1G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V 270mA N-Channel
MOSFETs 30V 270mA N-Channel
на замовлення 62873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 29.07 грн |
| 19+ | 17.55 грн |
| 100+ | 9.60 грн |
| 500+ | 7.18 грн |
| 1000+ | 6.35 грн |
| NTS4001NT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 30.61 грн |
| 50+ | 18.85 грн |
| 100+ | 11.92 грн |
| 500+ | 8.23 грн |
| 1500+ | 6.73 грн |
| NTS4001NT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 270 мА, Ptot, Вт = 0,33, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 33 @ 5, Qg, нКл = 1,3 @ 5 В, Rds = 1,5 Ом @ 10 мA, 4 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 100 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 270 мА, Ptot, Вт = 0,33, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 33 @ 5, Qg, нКл = 1,3 @ 5 В, Rds = 1,5 Ом @ 10 мA, 4 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 100 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.42 грн |
| NTS4001NT1G |
|
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 9.99 грн |