Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTS4101PT1G
NTS4101PT1G

NTS4101PT1G ON Semiconductor

nts4101pd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.93 грн
6000+5.76 грн
9000+5.66 грн
12000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTS4101PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 329mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTS4101PT1G за ціною від 4.86 грн до 29.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTS4101PT1G NTS4101PT1G ON Semiconductor nts4101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2352+6.03 грн
2374+5.97 грн
2404+5.90 грн
2436+5.61 грн
3000+5.13 грн
6000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 2352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G ON Semiconductor nts4101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1002000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4839+7.32 грн
10000+6.53 грн
100000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 4839 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G ON Semiconductor nts4101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 588000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4839+7.32 грн
10000+6.53 грн
100000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 4839 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G ONSEMI ONSM-S-A0016836243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G ONSEMI 2160709.pdf Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 73472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.68 грн
500+7.70 грн
1500+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G ON Semiconductor nts4101pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+16.52 грн
80+9.53 грн
81+9.43 грн
126+5.81 грн
250+5.33 грн
500+5.05 грн
1000+4.99 грн
3000+4.92 грн
6000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G onsemi nts4101p-d.pdf MOSFETs -20V -1.37A P-Channel
на замовлення 17976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.34 грн
23+14.37 грн
100+8.15 грн
500+6.28 грн
1000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G ONSEMI NTS4101P.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Gate charge: 6.4nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 0.329W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 641 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.64 грн
21+19.94 грн
25+16.70 грн
50+10.72 грн
100+8.97 грн
500+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G onsemi nts4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 329mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V
на замовлення 2073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
19+16.60 грн
100+10.44 грн
500+7.29 грн
1000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G ONSEMI 2160709.pdf Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV
Verlustleistung: 329mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 73382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.24 грн
50+16.19 грн
100+10.55 грн
500+6.96 грн
1500+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G ON-Semiconductor nts4101p-d.pdf P-MOSFET 20V 1.37A 120mΩ 329mW NTS4101PT1G TNTS4101pt1g
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G nts4101pd.pdf
NTS4101PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2352+6.03 грн
2374+5.97 грн
2404+5.90 грн
2436+5.61 грн
3000+5.13 грн
6000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 2352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G nts4101pd.pdf
NTS4101PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1002000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4839+7.32 грн
10000+6.53 грн
100000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 4839 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G nts4101pd.pdf
NTS4101PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 588000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4839+7.32 грн
10000+6.53 грн
100000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 4839 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G ONSM-S-A0016836243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTS4101PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G 2160709.pdf
NTS4101PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 73472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+11.68 грн
500+7.70 грн
1500+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G nts4101pd.pdf
NTS4101PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
46+16.52 грн
80+9.53 грн
81+9.43 грн
126+5.81 грн
250+5.33 грн
500+5.05 грн
1000+4.99 грн
3000+4.92 грн
6000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G nts4101p-d.pdf
NTS4101PT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs -20V -1.37A P-Channel
на замовлення 17976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
13+26.34 грн
23+14.37 грн
100+8.15 грн
500+6.28 грн
1000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101P.PDF
NTS4101PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Gate charge: 6.4nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 0.329W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 641 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
16+28.64 грн
21+19.94 грн
25+16.70 грн
50+10.72 грн
100+8.97 грн
500+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G nts4101p-d.pdf
NTS4101PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 329mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V
на замовлення 2073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+28.74 грн
19+16.60 грн
100+10.44 грн
500+7.29 грн
1000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G 2160709.pdf
NTS4101PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV
Verlustleistung: 329mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 73382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
28+29.24 грн
50+16.19 грн
100+10.55 грн
500+6.96 грн
1500+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G nts4101p-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
P-MOSFET 20V 1.37A 120mΩ 329mW NTS4101PT1G TNTS4101pt1g
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
200+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.