Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTS4101PT1G
NTS4101PT1G

NTS4101PT1G ON Semiconductor

nts4101p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
MOSFET Power, Single, P-Channel
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTS4101PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 329mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 329mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTS4101PT1G за ціною від 4.04 грн до 42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf MOSFET Power, Single, P-Channel
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : onsemi nts4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 329mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.77 грн
6000+ 5.31 грн
9000+ 4.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ONSEMI NTS4101P.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.329W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Gate charge: 6.4nC
Case: SC70; SOT323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
49+7.73 грн
54+ 6.42 грн
162+ 4.94 грн
445+ 4.67 грн
Мінімальне замовлення: 49
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ONSEMI NTS4101P.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.329W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Gate charge: 6.4nC
Case: SC70; SOT323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+9.28 грн
50+ 8 грн
162+ 5.93 грн
445+ 5.61 грн
Мінімальне замовлення: 29
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ONSEMI 2160709.pdf Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 329mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 54344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+15.24 грн
500+ 9.66 грн
1000+ 6.82 грн
3000+ 5.71 грн
6000+ 4.59 грн
12000+ 4.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : onsemi nts4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 329mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V
на замовлення 22316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.25 грн
13+ 21.6 грн
100+ 10.91 грн
500+ 8.35 грн
1000+ 6.2 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : onsemi NTS4101P_D-2319206.pdf MOSFET -20V -1.37A P-Channel
на замовлення 36979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.78 грн
14+ 22.17 грн
100+ 8.41 грн
1000+ 6.29 грн
3000+ 4.9 грн
9000+ 4.37 грн
24000+ 4.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ONSEMI 2160709.pdf Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 329mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 54344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+42 грн
25+ 30.1 грн
100+ 15.24 грн
500+ 9.66 грн
1000+ 6.82 грн
3000+ 5.71 грн
6000+ 4.59 грн
12000+ 4.5 грн
Мінімальне замовлення: 18
NTS4101PT1G Виробник : ON-Semicoductor nts4101p-d.pdf P-MOSFET 20V 1.37A 120mΩ 329mW NTS4101PT1G TNTS4101pt1g
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf MOSFET Power, Single, P-Channel
товар відсутній
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf MOSFET Power, Single, P-Channel
товар відсутній
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf MOSFET Power, Single, P-Channel
товар відсутній
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf MOSFET Power, Single, P-Channel
товар відсутній
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf MOSFET Power, Single, P-Channel
товар відсутній
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf MOSFET Power, Single, P-Channel
товар відсутній