Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTS4101PT1G
NTS4101PT1G

NTS4101PT1G ON Semiconductor

nts4101p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTS4101PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 329mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTS4101PT1G за ціною від 3.43 грн до 30.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0016836243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2480+5.22 грн
2582+5.01 грн
2600+4.98 грн
2618+4.77 грн
3000+4.38 грн
6000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 2480
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.42 грн
6000+5.25 грн
9000+5.17 грн
12000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.50 грн
6000+4.65 грн
12000+3.95 грн
18000+3.75 грн
30000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : onsemi nts4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 329mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.67 грн
6000+4.94 грн
9000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ONSEMI 2160709.pdf Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 72087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.05 грн
1500+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 588000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4839+6.68 грн
10000+5.96 грн
100000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 4839
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1002000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4839+6.68 грн
10000+5.96 грн
100000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 4839
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+15.08 грн
97+7.69 грн
98+7.60 грн
133+5.39 грн
250+4.79 грн
500+4.57 грн
1000+4.54 грн
3000+4.51 грн
6000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ONSEMI 2160709.pdf Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 72087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+23.34 грн
67+11.95 грн
100+8.68 грн
500+6.05 грн
1500+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ONSEMI NTS4101P.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Gate charge: 6.4nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 0.329W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.67 грн
28+15.12 грн
50+8.88 грн
100+7.15 грн
500+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : onsemi nts4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 329mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V
на замовлення 15348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.88 грн
19+15.61 грн
100+9.81 грн
500+6.85 грн
1000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : onsemi nts4101p-d.pdf MOSFETs -20V -1.37A P-Channel
на замовлення 20329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.96 грн
22+14.45 грн
100+7.51 грн
500+6.76 грн
1000+6.08 грн
3000+4.64 грн
6000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ONSEMI NTS4101P.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Gate charge: 6.4nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 0.329W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.80 грн
17+18.84 грн
50+10.65 грн
100+8.58 грн
500+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G Виробник : ON-Semiconductor nts4101p-d.pdf P-MOSFET 20V 1.37A 120mΩ 329mW NTS4101PT1G TNTS4101pt1g
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.