| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.42 грн |
| 6000+ | 5.25 грн |
| 9000+ | 5.17 грн |
| 12000+ | 4.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTS4101PT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 329mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTS4101PT1G за ціною від 4.44 грн до 32.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTS4101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 12354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTS4101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 1002000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTS4101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 588000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTS4101PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV euEccn: NLR Verlustleistung: 329mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTS4101PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV euEccn: NLR Verlustleistung: 329mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 71222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTS4101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 12354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTS4101PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.62A Gate charge: 6.4nC On-state resistance: 0.16Ω Power dissipation: 0.329W Gate-source voltage: ±8V Polarisation: unipolar Case: SC70; SOT323 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD |
на замовлення 1241 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTS4101PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs -20V -1.37A P-Channel |
на замовлення 17976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTS4101PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.37A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 329mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V |
на замовлення 2073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTS4101PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV euEccn: NLR Verlustleistung: 329mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 73472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| NTS4101PT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
P-MOSFET 20V 1.37A 120mΩ 329mW NTS4101PT1G TNTS4101pt1g кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2565 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
NTS4101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
NTS4101PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.37A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 329mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |