Продукція > ONSEMI > NTS4172NT1G

NTS4172NT1G onsemi


nts4172n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 294mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 381 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2019+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 2019 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2019 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTS4172NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SC70-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 381 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.38 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 294mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTS4172NT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTS4172NT1G NTS4172NT1G onsemi nts4172n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SC70-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 381 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.38 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 294mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4172NT1G nts4172n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SC70-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 381 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.38 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 294mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.