на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.85 грн |
| 9000+ | 7.32 грн |
| 24000+ | 7.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTS4173PT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.09 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 290mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTS4173PT1G за ціною від 6.74 грн до 37.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTS4173PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTS4173PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.09 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 290mW Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 19205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTS4173PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V |
на замовлення 856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTS4173PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET PFET SC70 30V TR |
на замовлення 9032 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTS4173PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.09 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 290mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 19205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| NTS4173PT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
P-MOSFET 30V 1.2A NTS4173PT1G TNTS4173pt1g кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| NTS4173PT1G |
|
на замовлення 8800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
 |
NTS4173PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
NTS4173PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
NTS4173PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
NTS4173PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW Mounting: SMD Power dissipation: 0.29W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -5A Gate charge: 10.1nC Case: SC70; SOT323 Drain-source voltage: -30V Drain current: -800mA On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
NTS4173PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
NTS4173PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW Mounting: SMD Power dissipation: 0.29W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -5A Gate charge: 10.1nC Case: SC70; SOT323 Drain-source voltage: -30V Drain current: -800mA On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |