Продукція > ON-SEMICONDUCTOR > NTS4173PT1G
NTS4173PT1G

NTS4173PT1G ON-Semiconductor

info-tnts4173pt1g.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
P-MOSFET 30V 1.2A NTS4173PT1G TNTS4173pt1g
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTS4173PT1G ON-Semiconductor

Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTS4173PT1G за ціною від 4.58 грн до 30.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTS4173PT1G NTS4173PT1G onsemi nts4173p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.49 грн
6000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G ONSEMI 706319.pdf Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.47 грн
6000+6.80 грн
9000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013579543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.81 грн
500+8.15 грн
1500+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.23 грн
68+11.22 грн
72+10.59 грн
107+6.81 грн
250+6.24 грн
500+5.29 грн
1000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G ONSEMI nts4173p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -5A
Drain current: -0.8A
Gate charge: 10.1nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.79 грн
57+7.53 грн
65+6.60 грн
100+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G onsemi nts4173p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 9116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.69 грн
19+16.15 грн
100+10.20 грн
500+7.12 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G onsemi nts4173p-d.pdf MOSFETs PFET SC70 30V TR
на замовлення 70381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.96 грн
21+15.61 грн
100+9.56 грн
500+7.10 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013579543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+30.36 грн
50+18.62 грн
100+11.81 грн
500+8.15 грн
1500+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G nts4173p-d.pdf
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G nts4173p-d.pdf
NTS4173PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.49 грн
6000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G 706319.pdf
NTS4173PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G nts4173p-d.pdf
NTS4173PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.47 грн
6000+6.80 грн
9000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G ONSM-S-A0013579543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTS4173PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.81 грн
500+8.15 грн
1500+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G nts4173p-d.pdf
NTS4173PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+18.23 грн
68+11.22 грн
72+10.59 грн
107+6.81 грн
250+6.24 грн
500+5.29 грн
1000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G nts4173p-d.pdf
NTS4173PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -5A
Drain current: -0.8A
Gate charge: 10.1nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.79 грн
57+7.53 грн
65+6.60 грн
100+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G nts4173p-d.pdf
NTS4173PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 9116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.69 грн
19+16.15 грн
100+10.20 грн
500+7.12 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G nts4173p-d.pdf
NTS4173PT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET SC70 30V TR
на замовлення 70381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.96 грн
21+15.61 грн
100+9.56 грн
500+7.10 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G ONSM-S-A0013579543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTS4173PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+30.36 грн
50+18.62 грн
100+11.81 грн
500+8.15 грн
1500+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G nts4173p-d.pdf
NTS4173PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G nts4173p-d.pdf
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.