NTS4173PT1G ON-Semiconductor
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 4.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTS4173PT1G ON-Semiconductor
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTS4173PT1G за ціною від 3.94 грн до 29.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTS4173PT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTS4173PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTS4173PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTS4173PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 10269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTS4173PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 1209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTS4173PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SC70; SOT323 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -5A Drain current: -0.8A Gate charge: 10.1nC On-state resistance: 0.15Ω Power dissipation: 0.29W Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement |
на замовлення 286 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTS4173PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V |
на замовлення 9116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTS4173PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs PFET SC70 30V TR |
на замовлення 72087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTS4173PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 10269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTS4173PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 1209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| NTS4173PT1G |
|
на замовлення 8800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |