Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTS4173PT1G
NTS4173PT1G

NTS4173PT1G ON Semiconductor

nts4173p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.83 грн
6000+5.65 грн
9000+5.57 грн
12000+5.20 грн
27000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTS4173PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTS4173PT1G за ціною від 3.93 грн до 32.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : onsemi nts4173p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.91 грн
6000+5.15 грн
9000+4.87 грн
15000+4.27 грн
21000+4.10 грн
30000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ONSEMI 706319.pdf Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.27 грн
9000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.97 грн
9000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013579543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.45 грн
500+8.67 грн
1500+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.75 грн
27000+12.57 грн
54000+11.69 грн
81000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ONSEMI nts4173p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -5A
Drain current: -800mA
Gate charge: 10.1nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.79 грн
34+12.31 грн
50+8.34 грн
100+6.94 грн
500+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
711+17.87 грн
766+16.60 грн
1028+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 711
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+18.27 грн
65+11.25 грн
69+10.54 грн
103+6.81 грн
250+6.25 грн
500+5.17 грн
1000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ONSEMI nts4173p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -5A
Drain current: -800mA
Gate charge: 10.1nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.35 грн
21+15.33 грн
50+10.01 грн
100+8.32 грн
500+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : onsemi nts4173p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 59475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.44 грн
21+16.35 грн
100+10.27 грн
500+7.16 грн
1000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : onsemi NTS4173P-D.PDF MOSFETs PFET SC70 30V TR
на замовлення 51893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+30.25 грн
20+18.33 грн
100+9.99 грн
500+7.53 грн
1000+6.66 грн
3000+6.10 грн
6000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013579543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+32.20 грн
50+19.83 грн
100+12.45 грн
500+8.67 грн
1500+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G Виробник : ON-Semiconductor nts4173p-d.pdf P-MOSFET 30V 1.2A NTS4173PT1G TNTS4173pt1g
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G nts4173p-d.pdf
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.