Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTS4173PT1G
NTS4173PT1G

NTS4173PT1G ON Semiconductor

nts4173p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.81 грн
6000+5.62 грн
9000+5.55 грн
12000+5.18 грн
27000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTS4173PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTS4173PT1G за ціною від 3.98 грн до 32.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : onsemi nts4173p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.98 грн
6000+5.21 грн
9000+4.93 грн
15000+4.32 грн
21000+4.15 грн
30000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ONSEMI 706319.pdf Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.24 грн
9000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.93 грн
9000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013579543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.54 грн
500+8.73 грн
1500+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.69 грн
27000+12.51 грн
54000+11.64 грн
81000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
711+17.78 грн
766+16.52 грн
1028+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 711
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ONSEMI nts4173p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -5A
Drain current: -800mA
Gate charge: 10.1nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.92 грн
34+12.39 грн
50+8.40 грн
100+6.99 грн
500+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+18.19 грн
65+11.20 грн
69+10.49 грн
103+6.78 грн
250+6.22 грн
500+5.15 грн
1000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ONSEMI nts4173p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -5A
Drain current: -800mA
Gate charge: 10.1nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.29W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.50 грн
21+15.45 грн
50+10.08 грн
100+8.38 грн
500+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : onsemi nts4173p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 33706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.64 грн
21+16.47 грн
100+10.38 грн
500+7.25 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : onsemi NTS4173P-D.PDF MOSFETs PFET SC70 30V TR
на замовлення 51893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+30.47 грн
20+18.46 грн
100+10.06 грн
500+7.59 грн
1000+6.71 грн
3000+6.15 грн
6000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013579543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+32.43 грн
50+19.98 грн
100+12.54 грн
500+8.73 грн
1500+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G Виробник : ON-Semiconductor nts4173p-d.pdf P-MOSFET 30V 1.2A NTS4173PT1G TNTS4173pt1g
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G nts4173p-d.pdf
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.