Технічний опис NTSB20120CTT4G ON Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOT 120V 10A D2PAK, Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 90 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: D2PAK, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NTSB20120CTT4G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NTSB20120CTT4G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTSB20120CTT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



