
NTSB30U100CTT4G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTSB30U100CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTSB30U100CTT4G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTSB30U100CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Durchlassstoßstrom: 160A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 800mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції NTSB30U100CTT4G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTSB30U100CTT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 160A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 800mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
NTSB30U100CTT4G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
NTSB30U100CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
NTSB30U100CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NTSB30U100CTT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 675 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NTSB30U100CTT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 675 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |