на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 513.10 грн |
| 10+ | 360.23 грн |
| 100+ | 271.32 грн |
| 500+ | 264.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTT2023N065M3S onsemi
Description: ELITESIC, 23 MOHM, 650 V, M3S,T2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 21A, 18V, Power Dissipation (Max): 288W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA, Supplier Device Package: T2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V.
Інші пропозиції NTT2023N065M3S за ціною від 255.33 грн до 466.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTT2023N065M3S | Виробник : onsemi |
 Description: ELITESIC, 23 MOHM, 650 V, M3S,T2Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 21A, 18V Power Dissipation (Max): 288W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: T2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| NTT2023N065M3S | Виробник : onsemi |
Description: ELITESIC, 23 MOHM, 650 V, M3S,T2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 21A, 18V Power Dissipation (Max): 288W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: T2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V |
на замовлення 3920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|