Продукція > ONSEMI > NTTFD021N08C
NTTFD021N08C

NTTFD021N08C onsemi

NTTFD021N08C_D-2319209.pdf Виробник: onsemi
MOSFETs MOSFET, Power, 80V POWERTRENCH Power Clip Half Bridge Configuration
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.70 грн
10+212.53 грн
25+184.05 грн
100+149.68 грн
250+148.92 грн
500+132.88 грн
1000+113.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFD021N08C onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 80V 6A/24A 12WQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-PowerWQFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA, Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3), Part Status: Active.

Інші пропозиції NTTFD021N08C за ціною від 104.77 грн до 232.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTTFD021N08C Виробник : onsemi nttfd021n08c-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 6A/24A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+113.41 грн
6000+104.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD021N08C Виробник : onsemi nttfd021n08c-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 6A/24A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 20890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.96 грн
10+188.37 грн
100+152.38 грн
500+127.11 грн
1000+108.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD021N08C Виробник : ON Semiconductor nttfd021n08c-d.pdf 80V DUAL N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.