Продукція > ONSEMI > NTTFD022N10C
NTTFD022N10C

NTTFD022N10C onsemi

nttfd022n10c-d.pdf Виробник: onsemi
MOSFETs MOSFET, Power, 100V POWERTRENCH Power Clip Half Bridge Configuration
на замовлення 3114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.87 грн
10+209.42 грн
100+130.07 грн
500+118.60 грн
1000+117.07 грн
3000+100.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFD022N10C onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 100V 6A/24A 12WQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-PowerWQFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA, Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3).

Інші пропозиції NTTFD022N10C за ціною від 115.17 грн до 246.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTTFD022N10C Виробник : onsemi nttfd022n10c-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 6A/24A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.65 грн
10+199.34 грн
100+161.24 грн
500+134.51 грн
1000+115.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD022N10C Виробник : ON Semiconductor nttfd022n10c-d.pdf MOSFET, Power, 100V POWERTRENCH Power Clip Half Bridge Configuration
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD022N10C Виробник : ONSEMI nttfd022n10c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 349A; 26W; WQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 349A
Power dissipation: 26W
Case: WQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD022N10C Виробник : onsemi nttfd022n10c-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 6A/24A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD022N10C Виробник : ONSEMI nttfd022n10c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 349A; 26W; WQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 349A
Power dissipation: 26W
Case: WQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.