NTTFD2D8N03P1E onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W (Ta), 26W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 400µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 225.22 грн |
| 10+ | 140.75 грн |
| 100+ | 97.42 грн |
| 500+ | 74.06 грн |
| 1000+ | 71.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFD2D8N03P1E onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-PowerWQFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.04W (Ta), 26W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 80A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 400µA, Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3), Part Status: Active.
Інші пропозиції NTTFD2D8N03P1E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTTFD2D8N03P1E | onsemi |
MOSFETs MOSFET, Power, 30V POWERTRENCH Power Clip |
на замовлення 2129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTTFD2D8N03P1E |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs MOSFET, Power, 30V POWERTRENCH Power Clip
MOSFETs MOSFET, Power, 30V POWERTRENCH Power Clip
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)