Продукція > ONSEMI > NTTFD2D8N03P1E
NTTFD2D8N03P1E

NTTFD2D8N03P1E onsemi

nttfd2d8n03p1e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W (Ta), 26W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 400µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+68.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFD2D8N03P1E onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-PowerWQFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.04W (Ta), 26W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 80A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 400µA, Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3), Part Status: Active.

Інші пропозиції NTTFD2D8N03P1E за ціною від 65.19 грн до 183.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTTFD2D8N03P1E NTTFD2D8N03P1E Виробник : onsemi nttfd2d8n03p1e-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W (Ta), 26W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 400µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 4344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.86 грн
10+121.25 грн
100+86.98 грн
500+69.54 грн
1000+65.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD2D8N03P1E NTTFD2D8N03P1E Виробник : onsemi NTTFD2D8N03P1E_D-1841514.pdf MOSFETs FET 30V 28 MOHM PC33 DUAL SYMM
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.23 грн
10+130.82 грн
100+81.46 грн
500+67.15 грн
1000+65.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD2D8N03P1E Виробник : ONSEMI nttfd2d8n03p1e-d.pdf NTTFD2D8N03P1E Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.