на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 133.29 грн |
10+ | 109.24 грн |
100+ | 83.03 грн |
1000+ | 54.2 грн |
3000+ | 51.41 грн |
6000+ | 49.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFD4D0N04HLTWG onsemi
Description: MOSFET, POWER, 40V POWERTRENCH P, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-PowerWQFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA, Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3), Part Status: Active.
Інші пропозиції NTTFD4D0N04HLTWG за ціною від 95.85 грн до 205.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTTFD4D0N04HLTWG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET, POWER, 40V POWERTRENCH P Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3) Part Status: Active |
на замовлення 1857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTTFD4D0N04HLTWG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET, POWER, 40V POWERTRENCH P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3) Part Status: Active |
товар відсутній |