Продукція > ONSEMI > NTTFD4D0N04HLTWG
NTTFD4D0N04HLTWG

NTTFD4D0N04HLTWG ONSEMI

nttfd4d0n04hl-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFD4D0N04HLTWG ONSEMI

Description: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 26W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WQFN, Anzahl der Pins: 12Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 26W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTTFD4D0N04HLTWG за ціною від 51.41 грн до 173.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTTFD4D0N04HLTWG NTTFD4D0N04HLTWG Виробник : onsemi nttfd4d0n04hl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.59 грн
10+100.47 грн
100+71.70 грн
500+55.31 грн
1000+51.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWG NTTFD4D0N04HLTWG Виробник : ONSEMI nttfd4d0n04hl-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.80 грн
10+115.54 грн
100+94.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWG NTTFD4D0N04HLTWG Виробник : onsemi NTTFD4D0N04HL_D-2319330.pdf MOSFETs T8 40V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
на замовлення 3348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.38 грн
10+120.98 грн
25+104.47 грн
100+75.78 грн
500+62.53 грн
1000+57.16 грн
3000+56.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWG Виробник : ON Semiconductor nttfd4d0n04hl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 15A 12-Pin WQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWG Виробник : ONSEMI nttfd4d0n04hl-d.pdf NTTFD4D0N04HLTWG Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWG NTTFD4D0N04HLTWG Виробник : onsemi nttfd4d0n04hl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.