Продукція > ONSEMI > NTTFD9D0N06HLTWG
NTTFD9D0N06HLTWG

NTTFD9D0N06HLTWG ONSEMI

3005757.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.96 грн
500+74.92 грн
1000+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFD9D0N06HLTWG ONSEMI

Description: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 26W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WQFN, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 26W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTTFD9D0N06HLTWG за ціною від 61.66 грн до 232.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTTFD9D0N06HLTWG NTTFD9D0N06HLTWG Виробник : ONSEMI 3005757.pdf Description: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.52 грн
10+116.84 грн
100+92.96 грн
500+74.92 грн
1000+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWG NTTFD9D0N06HLTWG Виробник : onsemi NTTFD9D0N06HL_D-2319269.pdf MOSFETs T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.75 грн
10+118.03 грн
100+77.55 грн
500+63.64 грн
1000+61.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWG NTTFD9D0N06HLTWG Виробник : onsemi nttfd9d0n06hl-d.pdf Description: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.74 грн
10+186.19 грн
100+148.17 грн
500+117.66 грн
1000+99.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWG NTTFD9D0N06HLTWG Виробник : ON Semiconductor nttfd9d0n06hl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9A 12-Pin WQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWG NTTFD9D0N06HLTWG Виробник : onsemi nttfd9d0n06hl-d.pdf Description: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.