Продукція > ONSEMI > NTTFD9D0N06HLTWG
NTTFD9D0N06HLTWG

NTTFD9D0N06HLTWG onsemi

nttfd9d0n06hl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
Part Status: Active
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+217.83 грн
10+174.26 грн
100+138.68 грн
500+110.13 грн
1000+93.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFD9D0N06HLTWG onsemi

Description: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 26W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WQFN, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 26W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTTFD9D0N06HLTWG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTTFD9D0N06HLTWG NTTFD9D0N06HLTWG onsemi nttfd9d0n06hl-d.pdf MOSFETs T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWG NTTFD9D0N06HLTWG ONSEMI 3005757.pdf Description: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWG NTTFD9D0N06HLTWG ONSEMI 3005757.pdf Description: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWG nttfd9d0n06hl-d.pdf
NTTFD9D0N06HLTWG
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWG 3005757.pdf
NTTFD9D0N06HLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD9D0N06HLTWG 3005757.pdf
NTTFD9D0N06HLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFD9D0N06HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 38 A, 38 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.