
NTTFS002N04CLTAG-SR01 onsemi

Description: T6 40V SG NCH U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 48.04 грн |
3000+ | 42.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS002N04CLTAG-SR01 onsemi
Description: T6 40V SG NCH U8FL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTTFS002N04CLTAG-SR01 за ціною від 40.90 грн до 159.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTTFS002N04CLTAG-SR01 | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTTFS002N04CLTAG-SR01 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|