
NTTFS002N04CLTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 46.28 грн |
3000+ | 44.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS002N04CLTAG onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTTFS002N04CLTAG за ціною від 28.90 грн до 156.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTTFS002N04CLTAG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 13294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTTFS002N04CLTAG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V |
на замовлення 19046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NTTFS002N04CLTAG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1475 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
NTTFS002N04CLTAG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
NTTFS002N04CLTAG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
NTTFS002N04CLTAG | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |