Технічний опис NTTFS002N04CTAG ON Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 136A, Pulsed drain current: 676A, Power dissipation: 27W, Case: WDFN8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 34nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1500 шт.
Інші пропозиції NTTFS002N04CTAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NTTFS002N04CTAG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 136A Pulsed drain current: 676A Power dissipation: 27W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1500 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
NTTFS002N04CTAG | Виробник : onsemi | MOSFETs T6 40V SG NCH U8FL |
товару немає в наявності |
|
| NTTFS002N04CTAG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 136A Pulsed drain current: 676A Power dissipation: 27W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |