Продукція > ONSEMI > NTTFS008N04CTAG

NTTFS008N04CTAG onsemi


nttfs008n04c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+15.18 грн
3000+13.33 грн
4500+12.68 грн
7500+11.21 грн
10500+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS008N04CTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTTFS008N04CTAG за ціною від 16.12 грн до 57.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTTFS008N04CTAG NTTFS008N04CTAG onsemi nttfs008n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.34 грн
10+34.62 грн
100+22.42 грн
500+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008N04CTAG ON Semiconductor nttfs008n04c-d.pdf
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008N04CTAG nttfs008n04c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.34 грн
10+34.62 грн
100+22.42 грн
500+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008N04CTAG nttfs008n04c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.