NTTFS008P03P8Z onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.36W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 55.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS008P03P8Z onsemi
Description: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTTFS008P03P8Z за ціною від 55.42 грн до 179.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTTFS008P03P8Z | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTTFS008P03P8Z | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2.36W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V |
на замовлення 5018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTTFS008P03P8Z | Виробник : onsemi |
MOSFETs PFET U8FL -30V 8MO |
на замовлення 1822 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTTFS008P03P8Z | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTTFS008P03P8Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |