Продукція > ONSEMI > NTTFS008P03P8Z
NTTFS008P03P8Z

NTTFS008P03P8Z onsemi

nttfs008p03p8z-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.36W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+96.59 грн
6000+ 89.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS008P03P8Z onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 96A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.36W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTTFS008P03P8Z за ціною від 92.7 грн до 214.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTTFS008P03P8Z NTTFS008P03P8Z Виробник : onsemi nttfs008p03p8z-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.36W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 7158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.32 грн
10+ 160.46 грн
100+ 129.79 грн
500+ 108.26 грн
1000+ 92.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFS008P03P8Z NTTFS008P03P8Z Виробник : onsemi NTTFS008P03P8Z_D-2319076.pdf MOSFET PFET U8FL -30V 8MO
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+214.67 грн
10+ 177.99 грн
25+ 145.47 грн
100+ 125.54 грн
250+ 118.24 грн
500+ 110.93 грн
1000+ 94.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFS008P03P8Z Виробник : ON Semiconductor nttfs008p03p8z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній