Продукція > ONSEMI > NTTFS008P03P8Z
NTTFS008P03P8Z

NTTFS008P03P8Z ONSEMI

3005758.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 0.0025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+144.90 грн
500+126.99 грн
1000+100.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS008P03P8Z ONSEMI

Description: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 0.0025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTTFS008P03P8Z за ціною від 63.86 грн до 283.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTTFS008P03P8Z NTTFS008P03P8Z Виробник : onsemi nttfs008p03p8z-d.pdf MOSFETs PFET U8FL -30V 8MO
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.09 грн
10+111.82 грн
100+76.92 грн
500+67.20 грн
1000+65.38 грн
3000+65.31 грн
6000+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8Z NTTFS008P03P8Z Виробник : ONSEMI 3005758.pdf Description: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 0.0025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+254.80 грн
10+179.09 грн
100+144.90 грн
500+126.99 грн
1000+100.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8Z NTTFS008P03P8Z Виробник : onsemi nttfs008p03p8z-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.36W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.37 грн
10+183.76 грн
100+131.78 грн
500+101.64 грн
1000+94.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8Z NTTFS008P03P8Z Виробник : onsemi nttfs008p03p8z-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.36W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8Z Виробник : ON Semiconductor nttfs008p03p8z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8Z Виробник : ONSEMI nttfs008p03p8z-d.pdf NTTFS008P03P8Z SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.