Продукція > ONSEMI > NTTFS010N10MCLTAG
NTTFS010N10MCLTAG

NTTFS010N10MCLTAG onsemi

nttfs010n10mcl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+47.89 грн
3000+ 43.41 грн
7500+ 41.34 грн
10500+ 37.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS010N10MCLTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V.

Інші пропозиції NTTFS010N10MCLTAG за ціною від 39.92 грн до 117.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTTFS010N10MCLTAG NTTFS010N10MCLTAG Виробник : onsemi nttfs010n10mcl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
на замовлення 67250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.5 грн
10+ 85.87 грн
100+ 66.78 грн
500+ 53.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS010N10MCLTAG NTTFS010N10MCLTAG Виробник : onsemi NTTFS010N10MCL_D-2319381.pdf MOSFET PTNG 100V LL IN
на замовлення 29720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.8 грн
10+ 95.49 грн
100+ 64.23 грн
500+ 54.67 грн
1000+ 44.57 грн
1500+ 41.45 грн
3000+ 39.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS010N10MCLTAG Виробник : ON Semiconductor nttfs010n10mcl-d.pdf
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS010N10MCLTAG NTTFS010N10MCLTAG Виробник : ON Semiconductor nttfs010n10mcl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній