 
NTTFS010N10MCLTAG onsemi
 Виробник: onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1500+ | 47.88 грн | 
| 3000+ | 45.35 грн | 
| 4500+ | 45.20 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS010N10MCLTAG onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V. 
Інші пропозиції NTTFS010N10MCLTAG за ціною від 42.08 грн до 121.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | NTTFS010N10MCLTAG | Виробник : onsemi |  MOSFETs PTNG 100V LL IN | на замовлення 29121 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | NTTFS010N10MCLTAG | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V | на замовлення 33258 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
| NTTFS010N10MCLTAG | Виробник : ON Semiconductor |   | на замовлення 2990 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
|   | NTTFS010N10MCLTAG | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 100V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||
| NTTFS010N10MCLTAG | Виробник : ONSEMI |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 250A; 52W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 52W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності |