
NTTFS010N10MCLTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 44.99 грн |
3000+ | 42.61 грн |
4500+ | 42.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS010N10MCLTAG onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V.
Інші пропозиції NTTFS010N10MCLTAG за ціною від 43.63 грн до 114.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTTFS010N10MCLTAG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 29341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTTFS010N10MCLTAG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V |
на замовлення 33258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NTTFS010N10MCLTAG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
NTTFS010N10MCLTAG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
NTTFS010N10MCLTAG | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |