Продукція > ONSEMI > NTTFS012N10MDTAG
NTTFS012N10MDTAG

NTTFS012N10MDTAG onsemi

nttfs012n10md-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 78µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+44.44 грн
3000+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS012N10MDTAG onsemi

Description: ONSEMI - NTTFS012N10MDTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0144 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTTFS012N10MDTAG за ціною від 48.99 грн до 156.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTTFS012N10MDTAG NTTFS012N10MDTAG onsemi nttfs012n10md-d.pdf Description: PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 78µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.18 грн
10+96.34 грн
100+65.42 грн
500+48.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAG NTTFS012N10MDTAG onsemi nttfs012n10md-d.pdf MOSFETs PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL
на замовлення 8055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAG NTTFS012N10MDTAG ONSEMI 3672853.pdf Description: ONSEMI - NTTFS012N10MDTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0144 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAG ON Semiconductor NTTFS012N10MD-D.PDF N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 45 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 965 @ 50, Qg, нКл = 13 @ 10, Rds = 14,4 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 62, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerWDFN Очікується: 6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1500 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1500+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAG nttfs012n10md-d.pdf
NTTFS012N10MDTAG
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 78µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.18 грн
10+96.34 грн
100+65.42 грн
500+48.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAG nttfs012n10md-d.pdf
NTTFS012N10MDTAG
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL
на замовлення 8055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAG 3672853.pdf
NTTFS012N10MDTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS012N10MDTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0144 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS012N10MDTAG NTTFS012N10MD-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 45 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 965 @ 50, Qg, нКл = 13 @ 10, Rds = 14,4 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 62, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerWDFN Очікується: 6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1500 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.