NTTFS012N10MDTAG onsemi
Виробник: onsemiDescription: PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 78µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 44.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS012N10MDTAG onsemi
Description: ONSEMI - NTTFS012N10MDTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0122 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTTFS012N10MDTAG за ціною від 42.86 грн до 166.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTTFS012N10MDTAG | Виробник : onsemi |
Description: PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 78µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V |
на замовлення 4131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTTFS012N10MDTAG | Виробник : onsemi |
MOSFETs PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL |
на замовлення 10308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTTFS012N10MDTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS012N10MDTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0122 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NTTFS012N10MDTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
NTTFS012N10MDTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NTTFS012N10MDTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NTTFS012N10MDTAG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 217A; 62W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 45A Pulsed drain current: 217A Power dissipation: 62W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| NTTFS012N10MDTAG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 217A; 62W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 45A Pulsed drain current: 217A Power dissipation: 62W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |