NTTFS012N10MDTAG onsemi
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 78µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 45.57 грн |
| 3000+ | 40.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS012N10MDTAG onsemi
Description: PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 78µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V.
Інші пропозиції NTTFS012N10MDTAG за ціною від 42.01 грн до 168.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTTFS012N10MDTAG | onsemi |
Description: PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 78µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V |
на замовлення 4161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NTTFS012N10MDTAG | onsemi |
MOSFETs PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL |
на замовлення 8055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| NTTFS012N10MDTAG | ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 45 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 965 @ 50, Qg, нКл = 13 @ 10, Rds = 14,4 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 62, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerWDFN Очікується: 6 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1500 шт |
на замовлення 298 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| NTTFS012N10MDTAG |
|
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 78µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
Description: PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 78µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 160.17 грн |
| 10+ | 98.80 грн |
| 100+ | 67.09 грн |
| 500+ | 50.24 грн |
| NTTFS012N10MDTAG |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL
MOSFETs PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL
на замовлення 8055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 168.57 грн |
| 10+ | 106.99 грн |
| 100+ | 63.01 грн |
| 500+ | 50.04 грн |
| 1000+ | 42.01 грн |
| NTTFS012N10MDTAG |
|
Виробник: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 45 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 965 @ 50, Qg, нКл = 13 @ 10, Rds = 14,4 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 62, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerWDFN Очікується: 6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1500 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 45 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 965 @ 50, Qg, нКл = 13 @ 10, Rds = 14,4 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 62, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerWDFN Очікується: 6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1500 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 80.19 грн |