NTTFS015N04CTAG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 9.24 грн |
| 3000+ | 8.48 грн |
| 4500+ | 8.47 грн |
| 7500+ | 7.63 грн |
| 10500+ | 7.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS015N04CTAG onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTTFS015N04CTAG за ціною від 6.96 грн до 44.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTTFS015N04CTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V |
на замовлення 13915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTTFS015N04CTAG | Виробник : onsemi |
MOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V |
на замовлення 737 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTTFS015N04CTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| NTTFS015N04CTAG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 27A; Idm: 93A; 7.4W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 27A Pulsed drain current: 93A Power dissipation: 7.4W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| NTTFS015N04CTAG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 27A; Idm: 93A; 7.4W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 27A Pulsed drain current: 93A Power dissipation: 7.4W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |