
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 42.98 грн |
10+ | 35.87 грн |
100+ | 22.09 грн |
500+ | 17.25 грн |
1000+ | 16.51 грн |
1500+ | 11.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS015N04CTAG onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTTFS015N04CTAG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
NTTFS015N04CTAG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
NTTFS015N04CTAG | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
NTTFS015N04CTAG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NTTFS015N04CTAG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |