| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.79 грн |
| 10+ | 49.69 грн |
| 100+ | 29.46 грн |
| 500+ | 22.48 грн |
| 1000+ | 17.34 грн |
| 1500+ | 17.13 грн |
| 3000+ | 16.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS015P03P8ZTAG onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NTTFS015P03P8ZTAG за ціною від 23.60 грн до 82.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTTFS015P03P8ZTAG | onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFNInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| NTTFS015P03P8ZTAG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 1490 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTTFS015P03P8ZTAG |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.46 грн |
| 10+ | 49.48 грн |
| 100+ | 32.46 грн |
| 500+ | 23.60 грн |
| NTTFS015P03P8ZTAG |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)