NTTFS016N06CTAG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 55.92 грн |
| 10+ | 33.43 грн |
| 100+ | 21.55 грн |
| 500+ | 15.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS016N06CTAG onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V.
Інші пропозиції NTTFS016N06CTAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NTTFS016N06CTAG | onsemi |
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTTFS016N06CTAG |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)