Продукція > ONSEMI > NTTFS020N06CTAG
NTTFS020N06CTAG

NTTFS020N06CTAG onsemi

NTTFS020N06C-D.PDF Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+12.07 грн
3000+10.10 грн
4500+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS020N06CTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V.

Інші пропозиції NTTFS020N06CTAG за ціною від 9.62 грн до 52.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTTFS020N06CTAG NTTFS020N06CTAG Виробник : onsemi NTTFS020N06C-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
на замовлення 4733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.57 грн
11+29.43 грн
100+18.92 грн
500+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS020N06CTAG NTTFS020N06CTAG Виробник : onsemi NTTFS020N06C-D.PDF MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 27A, 20.3m?ohm in u8FL
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.83 грн
11+32.41 грн
100+18.18 грн
500+17.49 грн
1000+16.65 грн
1500+11.00 грн
3000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS020N06CTAG Виробник : ON Semiconductor nttfs020n06c-d.pdf Single N Channel Power MOSFET 60V, 27A, 20.3m
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS020N06CTAG Виробник : ONSEMI NTTFS020N06C-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 27A; Idm: 128A; 15W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 15W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.