Продукція > ONSEMI > NTTFS022N15MC
NTTFS022N15MC

NTTFS022N15MC onsemi

nttfs022n15mc-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 71.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+79.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS022N15MC onsemi

Description: ONSEMI - NTTFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37.2 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 71.4W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.

Інші пропозиції NTTFS022N15MC за ціною від 74.57 грн до 239.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTTFS022N15MC NTTFS022N15MC onsemi nttfs022n15mc-d.pdf Description: POWER MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 71.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.39 грн
10+150.76 грн
100+105.22 грн
500+80.45 грн
1000+74.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MC NTTFS022N15MC ONSEMI 3191527.pdf Description: ONSEMI - NTTFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37.2 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 71.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MC onsemi NTTFS022N15MC_D-2319414.pdf MOSFET PTNG 150V 22MOHM, POWERCLIP33
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MC nttfs022n15mc-d.pdf
NTTFS022N15MC
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 71.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.39 грн
10+150.76 грн
100+105.22 грн
500+80.45 грн
1000+74.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MC 3191527.pdf
NTTFS022N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37.2 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 71.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MC NTTFS022N15MC_D-2319414.pdf
Виробник: onsemi
MOSFET PTNG 150V 22MOHM, POWERCLIP33
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.