Продукція > ONSEMI > NTTFS030N06CTAG
NTTFS030N06CTAG

NTTFS030N06CTAG onsemi

nttfs030n06c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+9.84 грн
3000+8.37 грн
4500+8.23 грн
7500+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS030N06CTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V.

Інші пропозиції NTTFS030N06CTAG за ціною від 8.32 грн до 42.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTTFS030N06CTAG NTTFS030N06CTAG Виробник : onsemi nttfs030n06c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
на замовлення 28372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.65 грн
12+26.81 грн
100+18.83 грн
500+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N06CTAG NTTFS030N06CTAG Виробник : onsemi NTTFS030N06C-D.PDF MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 27A, 29.7m?ohm in u8FL
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.14 грн
13+29.24 грн
100+18.25 грн
500+13.82 грн
1000+12.91 грн
1500+8.86 грн
3000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N06CTAG Виробник : ON Semiconductor nttfs030n06c-d.pdf Single N Channel Power MOSFET 60V, 27A, 29.7m
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N06CTAG Виробник : ONSEMI nttfs030n06c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 19A; Idm: 86A; 11W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 86A
Power dissipation: 11W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.