NTTFS080N10GTAG onsemi
Виробник: onsemiDescription: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560.5 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 24.57 грн |
| 3000+ | 20.23 грн |
| 4500+ | 20.01 грн |
| 7500+ | 18.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS080N10GTAG onsemi
Description: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560.5 pF @ 50 V.
Інші пропозиції NTTFS080N10GTAG за ціною від 19.30 грн до 94.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTTFS080N10GTAG | Виробник : onsemi |
Description: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560.5 pF @ 50 V |
на замовлення 10253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTTFS080N10GTAG | Виробник : onsemi |
MOSFETs MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 82mohm, 15A MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 82mohm, 15A |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|