Продукція > ONSEMI > NTTFS115P10M5
NTTFS115P10M5

NTTFS115P10M5 onsemi

nttfs115p10m5-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS115P10M5 onsemi

Description: MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 50 V.

Інші пропозиції NTTFS115P10M5 за ціною від 24.65 грн до 103.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTTFS115P10M5 NTTFS115P10M5 Виробник : onsemi NTTFS115P10M5_D-2319105.pdf MOSFETs Power MOSFET, P Channel, -100V, -13 A, 120mohm
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.99 грн
10+68.02 грн
100+40.83 грн
500+32.59 грн
1000+29.13 грн
3000+25.90 грн
6000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS115P10M5 NTTFS115P10M5 Виробник : onsemi nttfs115p10m5-d.pdf Description: MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 50 V
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.46 грн
10+62.84 грн
100+41.80 грн
500+30.74 грн
1000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS115P10M5 Виробник : ON Semiconductor nttfs115p10m5-d.pdf
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS115P10M5 Виробник : ON Semiconductor nttfs115p10m5-d.pdf Power, Single P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS115P10M5 Виробник : ONSEMI nttfs115p10m5-d.pdf NTTFS115P10M5 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.