NTTFS115P10M5 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 26.17 грн |
| 6000+ | 23.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS115P10M5 onsemi
Description: MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 41W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 13A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).
Інші пропозиції NTTFS115P10M5 за ціною від 22.14 грн до 106.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTTFS115P10M5 | onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, P Channel, -100V, -13 A, 120mohm |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTTFS115P10M5 | onsemi |
Description: MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLEDrain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 41W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 13A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V |
на замовлення 13200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTTFS115P10M5 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTTFS115P10M5 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, P Channel, -100V, -13 A, 120mohm
MOSFETs Power MOSFET, P Channel, -100V, -13 A, 120mohm
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 105.91 грн |
| 10+ | 65.85 грн |
| 100+ | 38.13 грн |
| 500+ | 29.82 грн |
| 1000+ | 27.23 грн |
| 3000+ | 23.81 грн |
| 6000+ | 22.14 грн |
| NTTFS115P10M5 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Description: MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
на замовлення 13200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.05 грн |
| 10+ | 64.83 грн |
| 100+ | 43.10 грн |
| 500+ | 31.70 грн |
| 1000+ | 28.88 грн |
| NTTFS115P10M5 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


