Продукція > ONSEMI > NTTFS1D2N02P1E
NTTFS1D2N02P1E

NTTFS1D2N02P1E onsemi

nttfs1d2n02p1e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 13 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+59.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS1D2N02P1E onsemi

Description: MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 38A, 10V, Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 13 V.

Інші пропозиції NTTFS1D2N02P1E за ціною від 55.65 грн до 212.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTTFS1D2N02P1E NTTFS1D2N02P1E onsemi NTTFS1D2N02P1E-D.PDF MOSFETs 25V 1.2 MOHM PC33
на замовлення 4454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.97 грн
10+126.07 грн
100+77.51 грн
500+64.24 грн
1000+62.43 грн
3000+56.84 грн
6000+55.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1E NTTFS1D2N02P1E onsemi nttfs1d2n02p1e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 13 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.10 грн
10+132.08 грн
100+91.15 грн
500+69.13 грн
1000+66.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1E ON Semiconductor nttfs1d2n02p1e-d.pdf
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1E NTTFS1D2N02P1E-D.PDF
NTTFS1D2N02P1E
Виробник: onsemi
MOSFETs 25V 1.2 MOHM PC33
на замовлення 4454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+175.97 грн
10+126.07 грн
100+77.51 грн
500+64.24 грн
1000+62.43 грн
3000+56.84 грн
6000+55.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1E nttfs1d2n02p1e-d.pdf
NTTFS1D2N02P1E
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 13 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+212.10 грн
10+132.08 грн
100+91.15 грн
500+69.13 грн
1000+66.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1E nttfs1d2n02p1e-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.