Продукція > ONSEMI > NTTFS1D8N02P1E
NTTFS1D8N02P1E

NTTFS1D8N02P1E ONSEMI

nttfs1d8n02p1e-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS1D8N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 150 A, 1300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+123.01 грн
500+94.56 грн
1000+81.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS1D8N02P1E ONSEMI

Description: ONSEMI - NTTFS1D8N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 150 A, 1300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 46W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00105ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTTFS1D8N02P1E за ціною від 68.45 грн до 245.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTTFS1D8N02P1E NTTFS1D8N02P1E onsemi nttfs1d8n02p1e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 13 V
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.10 грн
10+139.95 грн
100+97.15 грн
500+73.98 грн
1000+68.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D8N02P1E NTTFS1D8N02P1E ONSEMI nttfs1d8n02p1e-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFS1D8N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 150 A, 1300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.29 грн
10+147.45 грн
100+123.01 грн
500+94.56 грн
1000+81.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D8N02P1E NTTFS1D8N02P1E onsemi nttfs1d8n02p1e-d.pdf MOSFETs FET 25V 1.8 MOHM PC33 SINGLE
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.21 грн
10+157.39 грн
100+95.66 грн
500+79.60 грн
1000+75.41 грн
3000+70.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D8N02P1E nttfs1d8n02p1e-d.pdf
NTTFS1D8N02P1E
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 13 V
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+223.10 грн
10+139.95 грн
100+97.15 грн
500+73.98 грн
1000+68.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D8N02P1E nttfs1d8n02p1e-d.pdf
NTTFS1D8N02P1E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS1D8N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 150 A, 1300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+227.29 грн
10+147.45 грн
100+123.01 грн
500+94.56 грн
1000+81.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D8N02P1E nttfs1d8n02p1e-d.pdf
NTTFS1D8N02P1E
Виробник: onsemi
MOSFETs FET 25V 1.8 MOHM PC33 SINGLE
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+245.21 грн
10+157.39 грн
100+95.66 грн
500+79.60 грн
1000+75.41 грн
3000+70.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.