NTTFS2D1N04HLTWG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 70.53 грн |
| 6000+ | 41.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS2D1N04HLTWG onsemi
Description: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0017 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTTFS2D1N04HLTWG за ціною від 37.03 грн до 132.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTTFS2D1N04HLTWG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0017 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTTFS2D1N04HLTWG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V |
на замовлення 201998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTTFS2D1N04HLTWG | Виробник : onsemi |
MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 40 V, 150 A, 2.1 mohm |
на замовлення 2531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTTFS2D1N04HLTWG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0017 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTTFS2D1N04HLTWG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; Idm: 958A; 83W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 150A Pulsed drain current: 958A Power dissipation: 83W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| NTTFS2D1N04HLTWG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; Idm: 958A; 83W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 150A Pulsed drain current: 958A Power dissipation: 83W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |