Продукція > ONSEMI > NTTFS2D1N04HLTWG
NTTFS2D1N04HLTWG

NTTFS2D1N04HLTWG onsemi

nttfs2d1n04hl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+39.26 грн
6000+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS2D1N04HLTWG onsemi

Description: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 83W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm.

Інші пропозиції NTTFS2D1N04HLTWG за ціною від 42.87 грн до 150.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTTFS2D1N04HLTWG NTTFS2D1N04HLTWG onsemi nttfs2d1n04hl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V
на замовлення 9094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.67 грн
10+92.59 грн
100+62.62 грн
500+46.74 грн
1000+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWG NTTFS2D1N04HLTWG onsemi NTTFS2D1N04HL-D.PDF MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 40 V, 150 A, 2.1 mohm
на замовлення 7030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWG NTTFS2D1N04HLTWG ONSEMI 3005759.pdf Description: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWG NTTFS2D1N04HLTWG ONSEMI 3005759.pdf Description: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWG ONN nttfs2d1n04hl-d.pdf
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWG nttfs2d1n04hl-d.pdf
NTTFS2D1N04HLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V
на замовлення 9094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.67 грн
10+92.59 грн
100+62.62 грн
500+46.74 грн
1000+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWG NTTFS2D1N04HL-D.PDF
NTTFS2D1N04HLTWG
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 40 V, 150 A, 2.1 mohm
на замовлення 7030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWG 3005759.pdf
NTTFS2D1N04HLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWG 3005759.pdf
NTTFS2D1N04HLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS2D1N04HLTWG nttfs2d1n04hl-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.