Продукція > ONSEMI > NTTFS2D1N04HLTWG
NTTFS2D1N04HLTWG

NTTFS2D1N04HLTWG ONSEMI

nttfs2d1n04hl-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0017 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+89.87 грн
500+ 65.09 грн
3000+ 57.07 грн
6000+ 56.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS2D1N04HLTWG ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V.

Інші пропозиції NTTFS2D1N04HLTWG за ціною від 56.55 грн до 167.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTTFS2D1N04HLTWG NTTFS2D1N04HLTWG Виробник : onsemi nttfs2d1n04hl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+147.32 грн
10+ 128.03 грн
100+ 102.89 грн
500+ 79.33 грн
1000+ 65.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFS2D1N04HLTWG NTTFS2D1N04HLTWG Виробник : onsemi NTTFS2D1N04HL_D-2319416.pdf MOSFET T8 40V DFN POWER CLIP 3 X 3
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+150.32 грн
10+ 122.84 грн
100+ 84.79 грн
250+ 78.78 грн
500+ 71.43 грн
1000+ 61.29 грн
3000+ 58.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS2D1N04HLTWG NTTFS2D1N04HLTWG Виробник : ONSEMI nttfs2d1n04hl-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0017 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+167.01 грн
10+ 123.57 грн
100+ 89.87 грн
500+ 65.09 грн
3000+ 57.07 грн
6000+ 56.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTTFS2D1N04HLTWG NTTFS2D1N04HLTWG Виробник : onsemi nttfs2d1n04hl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V
товар відсутній