NTTFS2D1N04HLTWG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 37.74 грн |
| 6000+ | 34.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS2D1N04HLTWG onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V.
Інші пропозиції NTTFS2D1N04HLTWG за ціною від 31.44 грн до 145.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTTFS2D1N04HLTWG | onsemi |
MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 40 V, 150 A, 2.1 mohm |
на замовлення 7030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTTFS2D1N04HLTWG | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V |
на замовлення 11220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTTFS2D1N04HLTWG | ONN |
|
на замовлення 2110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTTFS2D1N04HLTWG |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 40 V, 150 A, 2.1 mohm
MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 40 V, 150 A, 2.1 mohm
на замовлення 7030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.81 грн |
| 10+ | 84.30 грн |
| 100+ | 50.11 грн |
| 500+ | 39.75 грн |
| 1000+ | 37.00 грн |
| 3000+ | 32.14 грн |
| 6000+ | 31.44 грн |
| NTTFS2D1N04HLTWG |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V
на замовлення 11220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.11 грн |
| 10+ | 89.41 грн |
| 100+ | 60.40 грн |
| 500+ | 45.01 грн |
| 1000+ | 41.25 грн |
| NTTFS2D1N04HLTWG |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)

