Продукція > ONSEMI > NTTFS3D7N06HLTWG
NTTFS3D7N06HLTWG

NTTFS3D7N06HLTWG onsemi

nttfs3d7n06hl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2383 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+61.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS3D7N06HLTWG onsemi

Description: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 3900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTTFS3D7N06HLTWG за ціною від 50.96 грн до 215.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTTFS3D7N06HLTWG NTTFS3D7N06HLTWG ONSEMI nttfs3d7n06hl-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 3900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.21 грн
500+72.16 грн
1000+62.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWG NTTFS3D7N06HLTWG onsemi nttfs3d7n06hl-d.pdf MOSFETs T8 60V DFN POWER CLIP 3X3
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.06 грн
10+123.20 грн
100+74.01 грн
500+59.98 грн
3000+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWG NTTFS3D7N06HLTWG onsemi nttfs3d7n06hl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2383 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.61 грн
10+124.69 грн
100+85.71 грн
500+64.79 грн
1000+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWG NTTFS3D7N06HLTWG ONSEMI nttfs3d7n06hl-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 3900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.44 грн
10+134.86 грн
100+96.21 грн
500+72.16 грн
1000+62.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWG nttfs3d7n06hl-d.pdf
NTTFS3D7N06HLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 3900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+96.21 грн
500+72.16 грн
1000+62.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWG nttfs3d7n06hl-d.pdf
NTTFS3D7N06HLTWG
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 60V DFN POWER CLIP 3X3
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+194.06 грн
10+123.20 грн
100+74.01 грн
500+59.98 грн
3000+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWG nttfs3d7n06hl-d.pdf
NTTFS3D7N06HLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2383 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+200.61 грн
10+124.69 грн
100+85.71 грн
500+64.79 грн
1000+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS3D7N06HLTWG nttfs3d7n06hl-d.pdf
NTTFS3D7N06HLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 3900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+215.44 грн
10+134.86 грн
100+96.21 грн
500+72.16 грн
1000+62.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.