Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > NTTFS4930NTAG
NTTFS4930NTAG

NTTFS4930NTAG Fairchild Semiconductor

ONSMS24671-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 15 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1236+16.4 грн
Мінімальне замовлення: 1236
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS4930NTAG Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A/23A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 20.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTTFS4930NTAG за ціною від 32.62 грн до 39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTTFS4930NTAG NTTFS4930NTAG Виробник : onsemi nttfs4930n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A/23A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 15 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39 грн
10+ 32.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTTFS4930NTAG NTTFS4930NTAG Виробник : ON Semiconductor NTTFS4930N-D-1814175.pdf MOSFET NFET U8FL 30V 23A 23MOHM
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS4930NTAG Виробник : ON Semiconductor nttfs4930n-d.pdf ONSMS24671-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 4107 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4930NTAG NTTFS4930NTAG Виробник : onsemi nttfs4930n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A/23A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 15 V
товар відсутній