NTTFS4985NFTWG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS4985NFTWG onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NTTFS4985NFTWG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NTTFS4985NFTWG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 4760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTTFS4985NFTWG |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)