NTTFS4C02NTAG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS4C02NTAG onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 91W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).
Інші пропозиції NTTFS4C02NTAG за ціною від 25.70 грн до 47.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTTFS4C02NTAG | onsemi |
MOSFETs AFSM T6 30V NCH U8FL |
на замовлення 4883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTTFS4C02NTAG | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V |
на замовлення 3164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| NTTFS4C02NTAG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 595 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTTFS4C02NTAG |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs AFSM T6 30V NCH U8FL
MOSFETs AFSM T6 30V NCH U8FL
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 40.24 грн |
| 10+ | 32.84 грн |
| 100+ | 26.19 грн |
| 500+ | 25.70 грн |
| NTTFS4C02NTAG |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.13 грн |
| 10+ | 42.89 грн |
| 100+ | 40.16 грн |
| 500+ | 34.02 грн |
| NTTFS4C02NTAG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 595 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


