Продукція > ONSEMI > NTTFS4C05NTWG
NTTFS4C05NTWG

NTTFS4C05NTWG onsemi

nttfs4c05n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+40.00 грн
10000+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS4C05NTWG onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTTFS4C05NTWG за ціною від 33.69 грн до 101.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTTFS4C05NTWG NTTFS4C05NTWG Виробник : onsemi nttfs4c05n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.24 грн
10+85.47 грн
100+66.61 грн
500+51.64 грн
1000+40.77 грн
2000+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTWG NTTFS4C05NTWG Виробник : onsemi NTTFS4C05N_D-2319129.pdf MOSFET Power MOSFET 30V 75A 3.6 mOhm Single N-Channel u8FL
на замовлення 19964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.03 грн
10+88.62 грн
100+60.18 грн
500+49.69 грн
1000+37.80 грн
2500+36.62 грн
5000+33.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTWG Виробник : ON Semiconductor nttfs4c05n-d.pdf
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.