NTTFS4C06NTAG ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C06NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 29.11 грн |
| 500+ | 25.36 грн |
| 1000+ | 21.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS4C06NTAG ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS4C06NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 67A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTTFS4C06NTAG за ціною від 12.09 грн до 67.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTTFS4C06NTAG | Виробник : onsemi |
MOSFETs Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH |
на замовлення 1879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTTFS4C06NTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS4C06NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTTFS4C06NTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTTFS4C06NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTTFS4C06NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
NTTFS4C06NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTTFS4C06NTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NTTFS4C06NTAG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 166A; 31W; WDFN8 Kind of package: reel; tape Case: WDFN8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 11.6nC On-state resistance: 4.2mΩ Power dissipation: 31W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 67A Pulsed drain current: 166A |
товару немає в наявності |