Продукція > ONSEMI > NTTFS4C06NTAG
NTTFS4C06NTAG

NTTFS4C06NTAG ONSEMI

ONSM-S-A0013300120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS4C06NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 0.0034 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.94 грн
500+28.67 грн
1000+26.39 грн
5000+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS4C06NTAG ONSEMI

Description: ONSEMI - NTTFS4C06NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 0.0034 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 67A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTTFS4C06NTAG за ціною від 19.97 грн до 123.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTTFS4C06NTAG NTTFS4C06NTAG Виробник : onsemi nttfs4c06n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.10 грн
10+54.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAG NTTFS4C06NTAG Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTTFS4C06NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 0.0034 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.92 грн
15+57.63 грн
100+38.94 грн
500+28.67 грн
1000+26.39 грн
5000+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAG NTTFS4C06NTAG Виробник : onsemi NTTFS4C06N_D-2319534.pdf MOSFET Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.30 грн
10+99.59 грн
100+67.74 грн
500+57.39 грн
1000+46.75 грн
1500+44.03 грн
3000+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAG NTTFS4C06NTAG Виробник : ON Semiconductor nttfs4c06n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAG NTTFS4C06NTAG Виробник : ON Semiconductor nttfs4c06n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAG Виробник : ONSEMI nttfs4c06n-d.pdf NTTFS4C06NTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAG NTTFS4C06NTAG Виробник : ON Semiconductor nttfs4c06n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAG NTTFS4C06NTAG Виробник : onsemi nttfs4c06n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.