Продукція > ONSEMI > NTTFS4C06NTAG
NTTFS4C06NTAG

NTTFS4C06NTAG ONSEMI

ONSM-S-A0013300120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS4C06NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+27.38 грн
500+19.55 грн
1000+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS4C06NTAG ONSEMI

Description: ONSEMI - NTTFS4C06NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 67A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTTFS4C06NTAG за ціною від 11.14 грн до 65.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTTFS4C06NTAG NTTFS4C06NTAG onsemi 64D0EF0A2D76F348869753DABC09B07BA077109E5CBA1A5036AD7967C7BAD759.pdf MOSFETs Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.97 грн
10+35.66 грн
100+21.43 грн
500+16.14 грн
1000+15.65 грн
1500+13.39 грн
3000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAG NTTFS4C06NTAG ONSEMI ONSM-S-A0013300120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTTFS4C06NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.31 грн
21+40.46 грн
100+27.38 грн
500+19.55 грн
1000+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAG NTTFS4C06NTAG onsemi nttfs4c06n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.02 грн
10+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAG 64D0EF0A2D76F348869753DABC09B07BA077109E5CBA1A5036AD7967C7BAD759.pdf
NTTFS4C06NTAG
Виробник: onsemi
MOSFETs Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+45.97 грн
10+35.66 грн
100+21.43 грн
500+16.14 грн
1000+15.65 грн
1500+13.39 грн
3000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAG ONSM-S-A0013300120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTTFS4C06NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS4C06NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+51.31 грн
21+40.46 грн
100+27.38 грн
500+19.55 грн
1000+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAG nttfs4c06n-d.pdf
NTTFS4C06NTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.02 грн
10+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.