NTTFS4C08NTAG ONSEMI
                                                Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C08NTAG - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1500+ | 21.45 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS4C08NTAG ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V. 
Інші пропозиції NTTFS4C08NTAG за ціною від 15.08 грн до 79.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
                      | 
        NTTFS4C08NTAG | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R         | 
        
                             на замовлення 2949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||||
                      | 
        NTTFS4C08NTAG | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R         | 
        
                             на замовлення 2949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||||
| 
             | 
        NTTFS4C08NTAG | Виробник : onsemi | 
            
                         MOSFET Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH         | 
        
                             на замовлення 962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||||
                      | 
        NTTFS4C08NTAG | Виробник : onsemi | 
            
                         Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V  | 
        
                             на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||||
| NTTFS4C08NTAG | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                                  | 
        
                             на замовлення 1380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | 
        ||||||||||||||||||
                      | 
        NTTFS4C08NTAG | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||||||||
                      | 
        NTTFS4C08NTAG | Виробник : onsemi | 
            
                         Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V  | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        

