NTTFS4C08NTAG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 14.47 грн |
| 3000+ | 12.68 грн |
| 4500+ | 12.05 грн |
| 7500+ | 10.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS4C08NTAG onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NTTFS4C08NTAG за ціною від 15.05 грн до 55.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTTFS4C08NTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS4C08NTAG - SCHOTTKY RECTIFIER DIODEStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTTFS4C08NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTTFS4C08NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTTFS4C08NTAG | Виробник : onsemi |
MOSFET Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH |
на замовлення 962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTTFS4C08NTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V |
на замовлення 9351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTTFS4C08NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
NTTFS4C08NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |

