NTTFS4C08NTAG ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C08NTAG - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 20.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS4C08NTAG ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NTTFS4C08NTAG за ціною від 14.53 грн до 77.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTTFS4C08NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTTFS4C08NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTTFS4C08NTAG | Виробник : onsemi |
MOSFET Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH |
на замовлення 962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTTFS4C08NTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTTFS4C08NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
NTTFS4C08NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NTTFS4C08NTAG | Виробник : ONSEMI |
NTTFS4C08NTAG SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
NTTFS4C08NTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |