Продукція > ONSEMI > NTTFS4C08NTAG
NTTFS4C08NTAG

NTTFS4C08NTAG onsemi

nttfs4c08n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+13.81 грн
3000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS4C08NTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTTFS4C08NTAG за ціною від 12.27 грн до 56.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTTFS4C08NTAG NTTFS4C08NTAG ONSEMI nttfs4c08n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 52A; Idm: 144A; 25.5W; WDFN8
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 25.5W
Gate charge: 18.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 52A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.17 грн
24+18.28 грн
100+16.00 грн
500+13.21 грн
1500+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAG NTTFS4C08NTAG ON Semiconductor nttfs4c08n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+40.20 грн
354+39.96 грн
367+38.54 грн
381+35.81 грн
500+31.89 грн
1000+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAG NTTFS4C08NTAG ON Semiconductor nttfs4c08n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.08 грн
19+40.20 грн
25+39.96 грн
100+37.17 грн
250+33.15 грн
500+30.62 грн
1000+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAG NTTFS4C08NTAG onsemi nttfs4c08n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
на замовлення 5133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.96 грн
10+33.98 грн
100+21.96 грн
500+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAG NTTFS4C08NTAG onsemi nttfs4c08n-d.pdf MOSFETs Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAG NTTFS4C08NTAG ONSEMI ONSM-S-A0007316266-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NTTFS4C08NTAG - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAG ON Semiconductor nttfs4c08n-d.pdf
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAG nttfs4c08n-d.pdf
NTTFS4C08NTAG
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 52A; Idm: 144A; 25.5W; WDFN8
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 25.5W
Gate charge: 18.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 52A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.17 грн
24+18.28 грн
100+16.00 грн
500+13.21 грн
1500+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAG nttfs4c08n-d.pdf
NTTFS4C08NTAG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
352+40.20 грн
354+39.96 грн
367+38.54 грн
381+35.81 грн
500+31.89 грн
1000+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAG nttfs4c08n-d.pdf
NTTFS4C08NTAG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+44.08 грн
19+40.20 грн
25+39.96 грн
100+37.17 грн
250+33.15 грн
500+30.62 грн
1000+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAG nttfs4c08n-d.pdf
NTTFS4C08NTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
на замовлення 5133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.96 грн
10+33.98 грн
100+21.96 грн
500+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAG nttfs4c08n-d.pdf
NTTFS4C08NTAG
Виробник: onsemi
MOSFETs Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAG ONSM-S-A0007316266-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NTTFS4C08NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS4C08NTAG - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAG nttfs4c08n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.