на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 43.03 грн |
| 13+ | 28.86 грн |
| 100+ | 17.60 грн |
| 500+ | 16.68 грн |
| 1500+ | 13.01 грн |
| 3000+ | 8.57 грн |
| 9000+ | 7.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS4C10NTAG onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NTTFS4C10NTAG за ціною від 23.80 грн до 77.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTTFS4C10NTAG | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V |
на замовлення 1431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NTTFS4C10NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
NTTFS4C10NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| NTTFS4C10NTAG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 44A; Idm: 128A; 23.6W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 44A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 23.6W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
NTTFS4C10NTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| NTTFS4C10NTAG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 44A; Idm: 128A; 23.6W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 44A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 23.6W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |