NTTFS4C13NTAG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 41.78 грн |
10+ | 35.1 грн |
100+ | 24.28 грн |
500+ | 19.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS4C13NTAG onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 21.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NTTFS4C13NTAG за ціною від 27.9 грн до 71.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTTFS4C13NTAG | Виробник : onsemi | MOSFET Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 355-364 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTTFS4C13NTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 21.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
NTTFS4C13NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 1320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
NTTFS4C13NTAG | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 11.7A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
NTTFS4C13NTAG | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 11.7A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |