NTTFS5116PLTWG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.56 грн |
| 10+ | 48.61 грн |
| 100+ | 33.69 грн |
| 500+ | 25.22 грн |
| 1000+ | 21.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS5116PLTWG onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA.
Інші пропозиції NTTFS5116PLTWG за ціною від 18.36 грн до 86.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTTFS5116PLTWG | onsemi |
MOSFETs PFET U8FL 60V |
на замовлення 7583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTTFS5116PLTWG | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA |
на замовлення 4745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4745 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NTTFS5116PLTWG | ONN |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTTFS5116PLTWG |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET U8FL 60V
MOSFETs PFET U8FL 60V
на замовлення 7583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.18 грн |
| 10+ | 53.03 грн |
| 100+ | 30.44 грн |
| 500+ | 23.68 грн |
| 1000+ | 19.67 грн |
| 5000+ | 18.36 грн |
| NTTFS5116PLTWG |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTTFS5116PLTWG |
|
Виробник: ONN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)