Продукція > ONSEMI > NTTFS5116PLTWG
NTTFS5116PLTWG

NTTFS5116PLTWG onsemi

NTTFS5116PL_D-2319536.pdf Виробник: onsemi
MOSFETs PFET U8FL 60V
на замовлення 33957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.47 грн
10+55.62 грн
100+33.47 грн
500+27.96 грн
1000+21.21 грн
5000+19.96 грн
10000+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS5116PLTWG onsemi

Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V.

Інші пропозиції NTTFS5116PLTWG за ціною від 21.83 грн до 76.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTTFS5116PLTWG NTTFS5116PLTWG Виробник : onsemi nttfs5116pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.21 грн
10+49.69 грн
100+34.44 грн
500+25.78 грн
1000+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWG NTTFS5116PLTWG Виробник : onsemi nttfs5116pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWG NTTFS5116PLTWG Виробник : ON Semiconductor nttfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5116PLTWG Виробник : ONSEMI nttfs5116pl-d.pdf NTTFS5116PLTWG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.